삼성전자가 3D 낸드플래시 수요 증가에 대응, 중국 시안 반도체 사업장 2기 라인을 건설한다. 2012년 1기 라인 착공에 이어 5년 6개월 만의 새 공장 증설이다.
삼성전자는 28일 중국 산시성 시안시에서 '삼성 중국 반도체 메모리 제2라인 기공식'을 열었다고 밝혔다. 후허핑 산시성 서기, 먀오웨이 공업정보화부장, 류궈중 산시성장, 노영민 주중 한국대사, 이강주 주시안 총영사, 김기남 삼성전자 대표이사 사장 등이 기공식에 참석했다.
삼성전자는 지난해 8월 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 양해각서(MOU)를 교환했다. 2020년까지 70억달러를 투자한다. 1기 라인 투자액도 70억달러였다. 2020년 투자가 완료되면 삼성 시안 공장의 3D 낸드플래시 생산량은 두 배로 확대된다. 시장조사업체 IHS마킷에 따르면 현재 삼성 시안 1기 라인의 월 생산량은 300㎜ 웨이퍼 투입 기준 월 9만장 수준이다. 2020년이면 이 규모가 18만장까지 늘어난다.
삼성전자는 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 3D 낸드플래시를 필요로 하는 세계 정보기술(IT) 시장 요구에 적극 대응하는 한편 중국 시장 대응력을 높이겠다는 전략이다.
김기남 삼성전자 사장은 기념사에서 “시안 2기 라인의 성공 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화한 솔루션을 고객에게 제공, 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여하겠다”고 말했다.
류궈중 산시성장은 “삼성 2기 공장 착공을 축하한다”면서 “산시성은 앞으로도 삼성과 협력사의 발전을 지원하며, 협력관계를 강화할 것”이라고 밝혔다.
중국 내에선 이번 투자로 시안시를 포함한 산시성 지역 경제 활성화와 중국 서부 지역 산업에도 파급 효과가 클 것으로 기대했다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com
