SK하이닉스, 차세대 'EUV D램' 양산시대 열었다

반도체 핵심거점 이천 'M16' 준공
하반기 10나노 4세대 D램 생산
최첨단 EUV 공정 도입 본격화
칩 양산·R&D 복합기지로 조성

SK하이닉스 M16 전경. <사진=SK하이닉스>
SK하이닉스 M16 전경. <사진=SK하이닉스>

SK하이닉스가 차세대 D램 생산기지 'M16'을 준공했다. SK하이닉스는 반도체 경기가 하락세를 보이던 2년 전 공사를 시작, 초호황기를 앞둔 시점에 차세대 D램 핵심 생산 거점을 준공하게 됐다. 특히 M16은 올 하반기에 양산하는 10나노급 4세대(1a) D램을 시작으로 최첨단 극자외선(EUV) 기술을 본격 도입하는 팹이 될 것으로 전망된다. 최태원 SK그룹 회장은 M16이 SK하이닉스 미래 성장의 상징이 될 것이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 1일 경기 이천 본사에서 M16 준공식을 개최했다. 이날 행사에는 최태원 회장을 비롯해 최재원 수석부회장, 박정호 SK하이닉스 부회장, 이석희 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등 SK그룹 및 SK하이닉스 주요 인사들이 참석했다.

M16은 SK하이닉스가 지난 2018년 11월 착공 이후 2년 동안 집중 투자한 팹이다. 준공까지 3조5000억원을 투자했다. 공사 인력은 연인원 334만명이 투입됐다.

M16에서는 SK하이닉스의 최첨단 D램이 생산된다. 규모는 축구장 8개 크기인 5만7000㎡ 건축 면적에 길이 336m, 폭 163m이다. 높이는 37층에 이르는 105m다. SK하이닉스가 국내외에 보유한 D램 공장인 이천 M10 및 M14, 중국 우시 C2 공장과 비교해도 단연 최대 규모다.

업계에서는 M16이 12인치 웨이퍼 기준 월 15만장(150K) 규모의 D램을 생산할 수 있는 팹이 될 것으로 예상하고 있다. 또 M16 내에 신규 연구동 'R4'도 들어서면서 칩 양산과 연구개발(R&D)이 함께 이뤄지는 복합 반도체 기지가 될 것으로 관측된다.

특히 M16에는 SK하이닉스 최초로 극자외선(EUV) D램 노광 장비가 도입된다. 이 장비를 활용해 올 하반기부터 10나노급 4세대(1a) 제품을 양산한다. EUV 기술을 활용하면 까다로운 반도체 회로를 기존 불화아르곤(ArF) 공정보다 빠르고 반듯하게 생산, 제품 경쟁력을 갖출 수 있다.

M16 준공은 2015년 M14 준공 당시 밝힌 '미래 비전'을 조기에 달성했다는 점에서도 의미가 있다. 당시 SK하이닉스는 2014년부터 10년 내에 M14 포함 국내 3개 신규 반도체 팹을 구축한다는 계획을 발표했다. 실제 회사는 2018년 청주 M15에 이어 이번 M16 준공으로 미래 비전을 3년 앞당겨 완성했다.

최태원 SK그룹 회장이 1일 열린 M16 준공식에서 발표하고 있다. <사진=SK하이닉스>
최태원 SK그룹 회장이 1일 열린 M16 준공식에서 발표하고 있다. <사진=SK하이닉스>

최 회장은 “반도체 경기가 하락세를 보이던 2년 전 M16을 짓는다고 했을 때 우려의 목소리가 많았다”면서 “그러나 이제 반도체 업사이클 얘기가 나오는 만큼 어려운 시기에 내린 과감한 결단이 더 큰 미래를 꿈꿀 수 있게 해 줬다”고 전했다. 최 회장은 “M16은 SK하이닉스가 그려 온 큰 계획의 완성이자 앞으로 용인 클러스터로 이어지는 출발점으로서 중요한 상징으로 남을 것”이라고 덧붙였다.

이석희 SK하이닉스 CEO는 M16를 안정적으로 경영해 최근 SK그룹이 강조하는 환경·사회·기업지배구조(ESG) 경영을 실현하겠다고 밝혔다.

이 CEO는 “M16은 EUV 전용 공간, 첨단 공해 저감 시설 등 최첨단 인프라가 집결된 복합 제조시설”이라면서 “경제적 가치 창출은 물론 ESG 경영에도 기여하는 고차원의 생산기지가 될 것”이라고 말했다.

강해령기자 kang@etnews.com