정부는 차세대 전자재료중 7대 개발과제를 도출하고 오는 98년까지 2백여억 원을 지원키로 하는 등 전자산업의 구조고도화를 위한 전자재료 기술개발 계획을 마련했다.
21일 통상산업부는 적층세라믹콘덴서(20억원)、 칩인덕터(38억원)、 이동통신용 모듈부품 및 소재(70억원)、 PC드라이브 구동모터용 바륨페라이트 자석 (8억원)、 초고주파 무정전전원공급장치용 소재 및 파워트랜스포머(20억원) 、 고강도/고전도형 커넥터용 동합금(40억원)、 표면실장부품형 수동부품의 후막전극 페이스트(7억원) 등 7대 개발과제를 선정、 올해부터 오는 98년까지 2백3억원을 지원키로 했다.
이와 함께 기술개발과제의 결과를 검정하고 기술인력 양성을 위해 내년중에파일럿 플랜트를 건설、 97년부터 가동하고 2000년까지 산.학.연을 연결하는 네트워크형 기술 인프라스트럭처를 구축할 계획이다.
적층세라믹콘덴서(MLCC)의 경우 저손실.고유전율 유전체 세라믹 파우더와 유 전체층의 박층화를 위한 초미입 파우더 등을 개발하고 내년에는 초정밀 인쇄 기술과 초박판 유전체층의 형성기술을 개발、 이동통신 및 멀티미디어기기의경박단소화를 촉진해나갈 계획이다.
전량 수입에 의존하고 있는 칩인덕터(1608사이즈)는 저온소성 페라이트 파우더와 초정밀인쇄기술.소형화기술.CAE자계해석기술 설계표준화 등을 통해 98 년에는 페라이트 칩인덕터의 양산화기술을 개발키로 했다.
이동통신용 모듈부품 및 소재는 초소형.고기능 듀플렉서의 개발과 다층 디바 이스화를 시작으로 98년에는 멀티칩모듈형 통신모듈을 국산화한다는 계획이 다. CD롬.HDD.FDD 등의 구동모터용 바륨자석 개발은 금형디자인에서부터 0.7마이 크로 이하의 미립자에 대한 균일분쇄 기술、 박판가공성의 연구개발 등을 4년간 추진해 취약한 국내 고특성 페라이트계 자석의 생산기술 및 응용제품의 활성화를 유도해나갈 예정이다.
초고주파 무정전전원공급장치(SMPS)용 소재 및 파워트랜스포머는 저손실 페 라이트재질 개발과 형상개발、 트랜스포머 설계기술 및 양산기술의 개발을 98년까지 연차적으로 개발키로 했다.
커넥터용 동합금은 고강도.고전도형의 합금설계 및 제조기술을 비롯해 소형화.박막화를 위한 가공열처리 기술과 상품화 응용기술 등을 개발해 개발완료 시점인 98년에는 1억달러、 2000년에는 2억5천만달러의 수입대체를 실현시킬 계획이다. 후막전극 페이스트개발은 올해부터 97년까지 MLCC와 칩인덕터의 내외부 전극 과 칩저항기 전극용 페이스트쪽에 주안점을 두고 특성평가 및 상용화 응용기술까지 완료할 예정이다.
통산부는 또 전자부품.재료 기술인력이 앞으로 더욱 부족해질 것에 대응해 파일럿 플랜트를 건설、 기술인력을 양성키로 했는데 특히 중소기업 기술인 력의 공급에 주력할 방침이다. <이윤재 기자>