삼성종합기술원(대표 하성한)은 차세대 반도체 및 고출력 레이저 다이오드의 열 발생 문제를 근원적으로 해결할 수 있는 "다이아몬드 히트 싱크(Heat Sin k)"를 국내 최초로 개발、 다이아몬드 반도체 소자의 실용화를 한층 앞당길수 있게 됐다고 10일 밝혔다.
이번에 개발한 다이아몬드 히트 싱크는 열전도율이 20W/cmK로 기존의 구리 계통의 히트싱크보다 5배가 높은 점이 특징이다.
이 제품은 마이크로 플라즈마 증착방식을 이용해 인조 다이아몬드를 3백미크 론 두께로 고속성장시켜 표면을 연마한 후 크롬 및 백금.금을 도포하는 과정을 통해 개발한 것으로, 삼성종합기술원은 이 기술을 고출력 레이저 다이오드의 성능 및 내구성 향상에 응용하는 한편 향후 멀티 칩 모듈에도 활용할 계획이다. 삼성종합기술원은 또한 이번 개발을 통해 다이아몬드막의 응력조절 기술과 다이아몬드 표면의 금속막 도포기술 등 다이아몬드를 고부가가치화할 수 있는 기술을 확보했다.
다이아몬드는 강도.내구성.광투과성.열전도율 및 전자이동도 등이 뛰어난 재료로 특히 열전도도가 지구상에 현존하는 물질중 가장 높아 초고집적 및 고출력 소자의 열발생문제를 해결할 수 있는 유일한 대안으로 주목되고 있다.
<이경동기자>