2백56MD램 이상의 초고집적 반도체 제조에 쓰이는 차세대 이온주입기가 개발 됐다. 23일 한국원자력연구소(소장 신재인)는 동연구소 최병호박사팀이 삼성전자와 공동으로 산소이온주입과 고에너지이온주입이 가능한 이온주입기를 개발했다 고 발표했다.
이 이온주입기는 초고집적 반도체를 제조하기 위해 필요한 12인치 이상의 대형 웨이퍼 처리와 차세대 반도체기술로 대두되고 있는 실리콘 이중막 웨이퍼 SOI 를 실현할 수 있는 장치이다.
이 이온주입기는 한.러 국제공동연구의 일환으로 93년 12월부터 1년간 약4억원을 투입해 개발한 것으로, 이온원으로 기존의 도핑용 이온인 붕소 인 비소 뿐 아니라 활성이 강한 산소이온과 질소이온 금속이온을 다량으로 생성할 수있는 것이 특징이다.
따라서 현재 쓰이고 있는 대전류 이온주입기는 물론 산소이온주입기 및 고에너지이온주입의 복합기능을 갖춘 차세대 이온주입기의 실용화가 가능하게 됐다. 이온주입기는 반도체 소자 제조시 이온원을 전기장으로 가속하여 웨이퍼상에쪼임으로써 IC의 국부적인 회로부분에 전도성을 띠게 하는 장치이다.
현재 국내 반도체업계가 4MD램과 16MD램 공정에 사용하고 있는 이온주입기의 대당 가격은 1백50만~2백만달러 정도로 이번 개발로 연간 7천5백만 달러정도의 수입대체효과를 기대할 수 있게 됐다.
원자력연구소는 앞으로 1~2년간 장치자체시험 및 현장적용시험과 평가를 거친 후 삼성전자의 2백56MD램이상 반도체 생산라인에 적용할 계획이라고 밝혔다. <대전=최상국 기자>