삼성종합기술원(대표 임관)은 한국표준과학연구원과 공동으로 청색 반도체 레이저의 상온연속발진에 성공했다고 27일 발표했다.
이번에 개발한 청색 반도체 레이저는 Ⅱ-Ⅵ(2-6)족 화합물 반도체인 아연 셀렌(ZnSe)계로 분자선 박막성장공법(MBE)을 사용했는데 *기판으로는 갈륨비소 G A 를 *발광층에는 아연캐드륨셀렌(ZnCdSe)을 광가이드층에는 아연황셀렌(ZnSSe)을 *전자.정공 및 광을 차폐하는 클래드 층에는아연마그네슘황셀렌 Z M SS 을 사용하는 단일양자정호구조로 돼있고 P형 전류접합층으로는 아연셀렌과 아연텔루륨(ZnSe/ZnTe)의 다층막을 사용하고 있다.
이 반도체 레이저의 공진기 길이는 8백um이고 전류 주입층의 폭은 7um이며 발진파장은 5백~5백15nm、 구동전압은 14V、 임계전류는 50㎀이고 임계전류밀도는 약 9백A/cm이다.
청색반도체 레이저를 사용하면 CD에 현재의 기록용량보다 4배정도의 정보 를더 기록할 수 있는 등 광기록장치의 차세대 광원으로 각광을 받고 있으나일본 소니 미국 3M 등에서 아연셀렌계 청색 반도체 레이저의 연구개발을 진행하고 있을 뿐 아직 실용화에는 이르지 못했다.
삼성종합기술원은 이 연구결과를 내년 MBE학회 등 세계적인 관련학술대회 에서 발표할 계획이다. <김경묵기자>