통상산업부는 반도체 메모리부문의 비교우위를 계속 유지하고 비메모리부문의 경쟁력을 높이기 위해 "일렉트로-21"사업의 비메모리 반도체 기술개발사업을 조기에 완료하고 반도체 설계인력 양성사업 등 기술기반 조성사업을적극 추진키로 했다.
31일 통상산업부는 반도체 비메모리부문의 경쟁력 제고방안을 이같이 확정하고, 이를 위해 약 5백억원의 사업비를 신규로 투여한다는 방침이다.
이 안에 따르면 통산부는 "일렉트로-21"사업으로 추진중인 펜티엄급 마이크로프로세서와 화합물반도체.전력용반도체 등 비메모리 반도체 기술개발을당초예정인 97년에서 96년말로 1년 앞당기고, 산업기술기반 조성사업으로 추진되고 있는 반도체 설계인력사업의 본격화를 위해 1백억~3백억원의 예산을지원하기로 했다.
또 신규 "G7"사업으로 추진되는 "주문형반도체 개발사업"에 69억원을 투입, ASIC기반기술 개발 및 설계인력 양성사업을 추진하는 한편 비메모리부문의 민간투자 동향을 매월 점검, 지원방안을 강구해 나가기로 했다.
이같은 통산부의 방침은 반도체 메모리부문의 수출호조에도 불구, 비메모리부문의 대일적자가 발생하고 있는 데다 비메모리부문의 기반을 구축하면향후 산업 패러다임에도 적극 대응할 수 있다는 판단 때문이다.
통산부는 이와 함께 메모리부문의 비교우위를 계속적으로 유지하기 위해LG의 말레이시아 현지투자계획 등 업계의 해외직접투자사업을 지원하고, 1GD램의 생산기술을 조기에 개발, 차세대 제품 생산에 대비한다는 방침이다.
반도체3사의 올해 설비부문 예상투자규모는 6조7천억원이며, 이 가운데 비메모리부문은 1조8백30억원이다.
<모인기자>