일본 NEC가 반도체의 실리콘산화막 표면을 높은 정밀도에서 평탄화하는 기술을 개발했다고 "일경산업신문"이 최근 보도했다.
이에 따르면 이 회사는 최신기술인 화학적기계연마(CMP)를 사용, 실리콘산화막의 조성을 정교하게 제어함으로써 하부배선에 의한 요철의 영향을받지 않는 평탄한 가공을 가능케 했다는 것이다.
이 기술은 여러개의 기판을 세로로 쌓아 올리는 고집적 칩의 제조에서 유용할 것이라고 이 신문은 전했다.
CMP는 실리콘산화막과 물을 반응시켜 표면을 깎기 쉬운 상태로 해 기계적으로 연마하는 방법으로 높은 평탄성을 얻을 수는 있지만 배선이 집중하고있는 곳은 산화막이 부분적으로 부풀어 오르기 때문에 면 전체를 균형있게깎는 것이 어렵다는 문제를 안고 있다.
이에 따라 NEC는 이번 개발에서 실리콘산화막을 적층하는데 고밀도 플라즈마CVD(화학적기상성장법)의 일종인 전자 사이크로트론 공명CVD를 이용했다.
또 실리콘산화막은 성분중 실리콘 원자의 비율이 높으면 CMP에 의한 연마가쉬운 반면 실리콘의 비율이 낮으면 연마가 어려워지는 성질이 있다. 때문에CVD장치에서 실리콘의 비율을 조절하면서 "깎기 쉽다" "깎기 어렵다" "깎기쉽다"의 순으로 3층의 막을 형성했다.
한편 NEC는 이번 신기술을 포함해 몇개의 실리콘산화막 성장법을 비교한후CMP를 사용한 생산라인 도입을 검토하겠다고 밝히고 있다.
〈신기성기자〉