반도체 3사의 해외투자가 비메모리분야로 집중되고 있다.
20일 관련업계에 따르면 올들어 해외투자에 활발히 나서고 있는 삼성전자·LG반도체·현대전자 등 반도체 3사는 미국과 영국 등지에 건립을 추진중인현지공장의 주력생산제품을 비메모리로 전환하거나 해외유력 비메모리업체인수를 통한 비메모리사업 강화방안을 적극 모색중이다.
이는 해외투자를 시장확보나 양산성면에서 유리한 D램 위주로 전개한다는당초 방침과는 거리가 먼 것으로 최근 뚜렷해진 D램시장 위축세에 따른 대응책으로 풀이된다. 특히 반도체 3사는 해외투자가 활성화될 경우 비메모리제품 개발의 관건인 고기술 습득과 디자인 전문인력 보강이 용이해져 그간 국내 반도체산업의 최대 취약부분으로 지적돼온 D램 편중 생산구조에서 보다빨리 탈피할 수 있을 것으로 보고 있다.
삼성전자는 미국 오스틴공장에 98년까지 일단 D램 생산라인 1개를 구축한후 늦어도 2000년까지는 부지를 최대 30만평 규모로 확충해 비메모리제품 생산라인 2개를 추가로 건립, 각종 ASIC과 DEC社의 CPU, 그리고 임베디드 로직등 통신용 IC를 주력 생산할 방침이다. 이를 위해 비메모리제품 개발을 위한디자인센터 등 대규모의 R&D시설도 갖출 예정이다. 또한 내년부터 전체 R&D투자의 40% 이상을 비메모리분야에 집중시켜 나가기로 했다.
영국 웨일스에 총 19억달러의 투자를 추진중인 LG반도체는 아예 처음부터D램을 제외한 멀티미디어 관련 비메모리반도체 생산라인을 구축한다는 방침이다. LG는 웨일스공장에서 멀티미디어용 「MPACT」칩을 주력으로 DSP·자바칩 등을 생산할 계획이다. 이와 함께 지난 3월 개설한 독일 디자인센터에 이어 지속적으로 해외 R&D센터를 확충, 올해 동구권과 아시아지역에 2∼3개를개설하는 등 비메모리제품의 디자인 설계능력 제고를 위해 총 4∼5개의 R&D센터를 개설할 예정이다.
현대전자는 미국 오리건공장은 예정대로 D램 전용공장으로 구축하고 연내진출예정인 스코틀랜드공장부터는 D램 생산라인과 함께 0.35미크론 이하의초미세 회로선폭의 공정기술 적용이 가능한 비메모리제품 라인을 구축하는방안도 적극 검토중이다. 특히 해외 비메모리제품 육성의 기본방향은 심비오스社와 같은 경쟁력 있는 유력업체 인수를 주력으로 하고 장기적으로 해외에서 운영중인 기존 비메모리사업부 가운데 경쟁력을 지닌 제품은 별도사업부로 분리, 집중 육성한다는 방침이다. 이를 위해 최근 미 현지법인(HEA) 내에MPEG사업부를 9천5백만달러를 투입해 별도법인화 했다.
〈김경묵기자〉