현대전자(대표 정몽헌)가 최근 1기가 D램 이상의 차세대 초고집적 반도체제조에 필수적인 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)장비를 개발했다고 2일 발표했다.
현대전자가 10억원을 투자해 개발한 이 장비는 기존 D램 제조용 화학물질인 실리콘계 재료 대신 옥사이드나 바륨·스토롬튬·티타늄 등의 BST계 화합물을 사용, 증착신뢰성을 높였으며 각 증착공정간 증착에 필요한 화학물질의 운반시스템을 독자적인 액상 운반장치로 대치해 그간 문제점으로 지적돼온 물질의 화학적·열적 불안정성을 해소시킨 것이 특징이다.
이 장비는 특히 D램 제조기술 사용시 고집적화 설계에 따른 정보 저장단위인 캐패시터의 충전능력 상실 등 칩 크기 축소에 따른 기술적 한계를 보완해 1기가급 초고집적 D램공정에 적합하다고 현대 측은 밝혔다.
현대전자는 앞으로 현장적용시험평가 및 자체 성능개선를 거쳐 이 장비를1기가 D램 시제품 생산라인 및 양산라인에 사용할 예정이며 관련기술을 아펙스 등 협력업체에 이관할 계획이다.
현대전자 오계환 부사장은 『이번 MOCVD장비 개발은 국내 기술이 취약한 전공정핵심장비라는 점에 큰 의미가 있다』며 장비양산이 본격화될 경우 국내 반도체 장비 기술력 제고는 물론 연간 6천만 달러 이상의 수입대체효과가 기대된다고 말했다.
<김경묵 기자>