한국과학기술연구원(KIST) 반도체재료연구센터 주관으로 21, 22일 이틀간 KIST 존슨강당에서 「제8회 국제 반도체물리학(ISPSA) 심포지엄」이 열렸다.
특히 이번 심포지엄에는 현재 국내 반도체업계의 관심이 증폭되고 있는 화합물 반도체의 일종인 「밴드갭 반도체」와 「청색발광체」를 주제로 선정, 높은 관심을 모았다.
다음은 KIST 반도체재료연구센터장인 민석기 박사와의 일문일답.
-ISPSA학술대회란.
▲지난 82년 한국 반도체물리학회 30주년 기념사업으로 시작돼 2년마다 열리고 있으며 올해로 8회째를 맞는 반도체재료 분야의 국제적인 행사다.
-이번 심포지엄의 의의는.
▲반도체재료와 관련, 국내외의 1백40여편에 이르는 광범위한 논문이 발표돼 그동안 국내 반도체산업의 취약점으로 지적돼 온 재료 분야에 대한 활발한 토론의 장을 마련하고, 특히 화합물 반도체의 일종인 밴드갭 반도체에 대한 국내외 석학들의 논문이 대거 소개돼 향후 국내 화합물 반도체 연구개발에 크게 이바지할 것으로 보인다.
-밴드갭 반도체란.
▲실리콘카바이드(SiC), 갈륨질소(GaN), 징크셀레나이드(ZnSe) 등을 이용한 화합물 반도체를 말하며 우리 주변에서는 각종 전자기기, 전광판 등에서 반도체를 발광체로 이용하는 발광다이오드 형태로 쉽게 접할 수 있다.
-국내 화합물 반도체의 연구수준은.
▲일본, 미국에 비해 열악한 것이 사실이나 최근 일부 대기업에서 잇따라 화합물 반도체의 사업성 여부를 타진하고 있어 향후 연구개발이 활기를 띨 것이다. 특히 국내에서는 쉽게 노화돼 긴 수명을 보장받을 수 없는 SiC나 ZnSe보다 기술적 우위를 점하고 있는 GaN를 이용한 청색 발광다이오드, 레이저다이오드 개발에 집중하고 있어 수년내에 미국, 일본 등 선진국을 따라잡을 수 있을 것으로 보인다.
-향후 과제는.
▲P형 불순물 첨가문제 및 GaN와 비슷한 원자배열을 갖는 물질을 찾는 것이다. 다이오드는 P형과 N형 반도체 접합으로 이루어져 있고 고휘도, 저전력의 다이오드를 위해서는 P형과 N형은 각각 불순물을 주입해야 하는데 넓은 밴드갭 반도체들은 P형 불순물이 잘 들어가지 않는다. 또한 웨이퍼라 부르는 단결정판 위에 P형과 N형의 얇은 단결정막을 입히게 되는데 아직까지 GaN의 원자배열에 부합되는 단결정막을 발견하지 못했다. 좋은 특성을 갖는 다이오드 개발을 위해서는 이 두 과제가 해결되어야만 한다.
-화합물 반도체 시장전망은.
▲화합물 반도체는 자체 발광력, 고휘도, 저전력 등의 특성으로 단순한 전자기기의 표시기부터 각종 디스플레이의 패널로 응용될 수 있고 또한 현재 관심이 증폭되고 있는 DVD에도 적용, 집적도를 4배 이상 향상시킨 단파장 레이저다이오드를 개발할 수 있어 정보통신, 영상산업 등 광범위한 분야로 크게 확장될 것으로 기대된다.
〈강병준 기자〉