D램의 용량, S램의 속도, 플래시 메모리의 데이터 보존기능 등 각종 메모리의 장점을 취합한 새로운 개념의 강유전체 메모리(F램)가 국내에서 처음 개발됐다.
삼성전자는 24일 삼성종합기술원과 공동으로 1T/1C(1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터) 셀 구조의 64K F램을 개발했다고 발표했다.
F램은 정보를 기억하는 소자인 캐패시터에 강유전 물질을 사용, D램과 같은 수준의 데이터 처리가 가능할 뿐만 아니라 플래시 메모리와 같이 전원공급이 끊어져도 기록된 데이터를 상실하지 않는 장점을 가지고 있다. 또한 D램과 달리 일정 시간마다 데이터의 보전을 위한 전원공급이 불필요해 전력소모를 줄일 수 있는 등 그간 메모리업계에서는 「궁극적 기억소자」로 불리며 특히 NEC, 히타치 등 일본업체들에 의해 개발이 적극적으로 추진돼 왔다.
삼성측은 『F램은 현재 미국 램트론社가 64K 제품을 상품화, 시판하고 있으나 셀 구조가 두개의 소자를 상호보완적으로 사용해 하나의 정보를 기억하는 2T/2C 구조라 용량에 한계가 있다』고 설명하고 이번에 자사가 개발한 F램은 1T/1C 구조로 소자면적을 거의 D램 수준까지 줄였으며 칩내 배선으로 알루미늄 이중라인을 채택, 단일배선인 기존 제품에 비해 데이터 처리속도를 크게 향상시킨 점이 특징이라고 말했다.
F램은 초기 단계의 소용량 제품이 무정지 도로요금 징수시스템, 게임기, 가전기기, 스마트카드, 인버터 및 전자수첩 등에 일부 쓰이고 있으나 향후 휴대형 정보기기와 멀티미디어기기 등에 채용이 확대될 것으로 보여 시장규모도 98년 10억달러에서 메가 제품이 상용화될 2000년에는 S램, 플래시 메모리 등을 대체하면서 2백억달러 수준으로 확대될 전망이다.
삼성전자는 이번 개발로 경쟁업체들에 앞서 F램시장에 교두보를 마련했다고 보고 98년에는 메가급 제품을 개발, 시장선점에 나설 계획이다.
〈김경묵 기자〉