삼성전자가 전력전자용 반도체사업을 크게 강화한다.
18일 관련업계에 따르면 삼성전자는 비메모리제품 가운데서도 MOSFET,IGBT 등 전력용 반도체를 시장경쟁력 조기확보 가능성이 가장 높은 제품이라고 보고 내년에 주력제품을 개발하고 양산체제를 구축하는 등 관련사업을 대폭 강화키로 했다.
삼성은 이를 위해 내년에 해외의 우수 설계인력을 영입하는 등 부천공장 전력전자 반도체팀의 인력을 대폭 보강할 방침이다. 또한 칩 사이즈를 축소하고 제조공정을 개선해 생산원가를 낮추는 한편 생산성 향상을 위해 웨이퍼를 내년 상반기까지 기존 5인치에서 6인치로 교체할 계획이다.
연구개발 및 시설투자비도 2천5백억원으로 올해보다 40% 이상 늘려 내년에는 매출 6억달러로 세계 전력전자용 반도체 10대 공급업체에 진입하고 2000년에는 매출 11억달러로 5위권에 들어설 계획이다.
또한 17인치 이상의 모니터와 대용량 HDD를 포함해 핸디폰, PDA, 노트북PC 등 휴대형 정보통신기기를 중심으로 한 신규 수요와 기존 바이폴러제품을 대체하는 수요로 시장확대가 두드러진 MOSFET 시장공략을 위해 다양한 제품개발에 주력할 계획이다.
전력용 반도체는 고내압, 고속, 고주파수, 고기능 특성으로 각종 전자기기내에서 전력을 변환 또는 제어하는 핵심 반도체다.
<김경묵 기자>