현대전자(대표 정몽헌)가 최근 경기도 여주군 가남면에 연면적 5천4백평(지하1층,지상3층)규모의 신규 메모리연구동을 완공하고 마스크(MASK) 자체제작 및 F램과 실리콘이중막(SOI) 웨이퍼 등 차세대 소자 및 관련 신소재 개발에 본격 나선다고 16일 발표했다. 총 2천억원을 투자한 이 가남 연구동에서 현대전자는 주문형 반도체(ASIC)용 마스크를 자체제작함으로써 2000년까지 약 1천6백억원의 수입대체효과는 물론 설계 및 공정기술의 대응력이 한층 높아질 것으로 기대하고 있다.
또한 차세대 반도체 소재로 평가받는 고유전, 강유전체와 이를 이용한 F(Ferroelectric)램과 이중막 실리콘 등 신소재 연구개발에도 적극 나서 기가급 소자의 조기개발 기반을 구축할 방침이다.
연구동 총괄 황연석 전무는 『이번 연구동 준공으로 기존 이천 연구동은 차세대 설계 및 공정기술에 주력하고 가남연구동은 생산공정에 필수적인 마스크제작 및 차세대 핵심소재 연구 등 효율적인 역할분담식 연구개발체제 구축이 가능하게 됐다』고 밝혔다.
한편 현대측은 가남연구동에 상수원 보호를 위한 무방류 폐수처리시스템 분야에만 2백억원 이상을 투자하는 등 완벽한 오염방지시설을 갖췄다고 밝혔다.
<김경묵 기자>