日 히타치, D램 내장 로직 IC 제품화

일본 히타치제작소가 대용량 메모리를 탑재할 수 있는 주문형반도체(ASIC) 「HG73M시리즈」를 개발, 오는 10월부터 수주에 나선다.

일본 「日經産業新聞」 보도에 따르면 히타치가 개발한 「HG73M시리즈」는 D램을 로직IC에 내장하면서도 각각의 성능을 그대로 유지할 수 있다는 것이 가장 큰 특징이다.

최대 1백40MD램까지 탑재할 수 있는 이 제품은 D램과 로직간 데이터 전송효율이 기존 혼합칩보다 10-1백배 높을 뿐 아니라 소비전력도 10분의 1에서 20분의 1 수준으로 크게 줄었다.

가격은 16MD램과 20만 게이트의 로직을 탑재한 제품이 10만개 기준으로 개당 4천8백엔이다.

<심규호 기자>