화합물 광소자에 이어 화합물 전자소자 개발이 한창이다.
19일 관련업계에 따르면 삼성, LG, 현대 등 반도체 관련 전자3사는 국내 정보통신산업이 반도체에 이은 효자사업으로 급부상하고 있음에 따라 고주파대역 신호처리의 핵심부품인 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 등 화합물 전자소자의 개발 및 조기생산체제 구축에 박차를 가하고 있다.
갈륨비소(@As), 인듐인(InP)을 소재로 하는 HEMT와 HBT, 그리고 이를 집적한 MMIC 등 화합물 전자소자는 실리콘 소재의 전자소자에 비해 5배 정도 빠른 전자이동으로 3㎓ 이상의 고속, 고주파수대역 처리가 가능하고 저잡음 특성이 우수해 최근 고속, 고주파수대역 처리를 요구하는 고속삐삐로부터 위성통신에 이르기까지 다양한 영역에서 쓰임새가 확대되고 있다.
특히 국내 정보통신산업이 최근 반도체를 잇는 수출유망산업으로 떠오르자 이 분야의 시장경쟁력을 갖추기 위해서는 고주파수대역 신호처리에 필수적인 화합물 전자소자 기술이 밑받침돼야 한다는 판단 아래 국내 전자업체들은 최근 이를 핵심사업으로 추진하고 있다.
LG그룹은 LG종합기술원을 중심으로 93년부터 화합물 전자소자 개발에 본격 착수, 현재 9백㎒대역의 GSM용 전력 전계효과트랜지스터(FET), 1.7㎓대역의 개인휴대통신(PCS)용 전력 FET, 그리고 77㎓대역의 차량용 고전자이동도트랜지스터(HEMT) 단위소자를 LG정밀과 공동 개발 중이다. LG는 이르면 올해 말, 늦어도 내년 초에는 그룹 계열 전자부품회사 내에 화합물 전자소자용 생산라인을 설치, 이들 제품을 생산할 계획이며 내년부터는 전력 FET를 응용한 전력모듈과 HEMT를 이용한 저잡음증폭기, 주파수변환기 등의 MMIC 개발에도 본격 나설 방침이다.
삼성전자는 지난 92년 미국 화합물 전자소자업체인 해리스 마이크로시스템스사를 인수, SMS(Samsung Microwave Semiconductor)로 개명해 금속반도체구조FET(MESFET)를 기반으로 하는 전력 FET, TV튜너, PCS튜너 등을 생산해온 데 이어 올초 이와는 별도로 삼성종합기술원내에 화합물 전자소자팀을 구성하고 HEMT, HBT 등 개별소자 연구에 착수했다.
삼성은 SMS를 화합물 전자소자 생산기지로 활용하고 삼성종합기술원이 차세대 제품을 개발키로 하는 등의 역할분담 원칙을 수립한 것으로 알려졌으며, 고속 이동통신 등에 사용되는 20㎓ 이상의 고주파처리 개별소자와 MMIC 등을 중점 개발할 방침이다. 삼성측은 현재 개발 중인 제품들의 사업화는 오는 2000년경부터 이루어질 것으로 전망했다.
현대전자는 시스템IC연구소내 디바이스팀에서 전자소자 개발을 진행하고 있는데 현재 InP, In@As 소재의 HBT를 제작해 10Gbps급 이상의 p-i-n/HBT 모노리식 광전 광수신기를 개발 중이다. 현대전자는 향후 p-i-n/HBT 리시버, LD드라이버, 와부 모듈레이터 드라이버, MUX 등 초고속 광통신용 광모듈뿐만 아니라 10㎓ 이상의 VCO, 믹서, 증폭기 등 이동, 위성 통신용 MMIC도 개발할 계획이다.
한편 오는 2000년 13억 달러 시장을 형성할 것으로 전망되는 @As를 소재로 한 MMIC시장은 통신 서비스의 발전속도가 빨라짐에 따라 특정 MMIC의 시장점유 기간이 짧아 아직까지도 독점적으로 MMIC를 공급하는 회사가 없고 10㎓ 이상의 제품에 대해서는 세계적으로도 안정된 공정을 확보한 업체가 없어 국내업체들이 의욕적으로 개발에 나서고 있다.
<유형준 기자>