현대전자(대표 정몽헌)는 최근 세계 처음으로 기존 싱크로너스D램보다 속도가 4배 빠른 64M 싱크링크D램(SLD램) 테스트 칩을 개발, 고속 메모리 표준을 제정하는 SLD램 컨소시엄에 제출하고 평가작업에 들어갔다고 3일 밝혔다.
이 SLD램은 데이터 처리속도가 4백Mbps로 기존 싱크로너스D램보다는 4배, DDR(Double Data Rate) SD램보다는 2배 이상 빠르다.
현재 CPU의 정보 처리속도는 크게 향상됐으나 기존 D램의 속도저하로 시스템 성능향상이 어려워지자 이를 개선하기 위한 고속 메모리들이 선보이고 있으며 인텔이 지원하고 있는 램버스D램과 SLD램 컨소시엄이 제안한 SLD램이 치열한 차세대 메모리 표준경쟁을 벌이고 있다.
현대전자는 99년 초부터 64M SLD램을 양산할 계획이다.
SLD램은 미국 램버스사에 로열티를 지불해야 하는 램버스D램과 달리 메모리업체간에 기술을 공유해 별도의 특허료 없이 기술을 사용할 수 있으며 기존 패키지인 TSOP 패키지를 이용, 마이크로 BGA를 사용해야 하는 램버스D램보다 제작 단가를 낮출 수 있다.
SLD램 컨소시엄은 현대, 삼성, LG 등 국내 반도체 3사와 NEC, TI, 후지쯔 등 국내외의 20여 반도체업체로 구성돼 차세대 메모리와 관련된 표준제정 및 공동개발 사업을 추진하고 있으며 현재 현대전자가 의장사로 등록돼 있다.
64M SLD램을 개발, SLD램 컨소시엄에 테스트를 의뢰한 것은 현대전자가 처음인데 거의 비슷한 시기에 일본 미쓰비시도 테스트를 의뢰한 것으로 알려졌다.
현대전자는 『테스트 칩 개발에 성공함으로써 차세대 D램으로 평가받고 있는 SLD램 개발 가능성을 입증하고 차세대 메모리사업에 유리한 고지를 차지하게 됐다』라며 『앞으로는 램버스D램과 같은 속도인 8백Mbps의 데이터 전송률을 갖는 SLD램을 개발할 계획』이라고 밝혔다.
<유형준기자>