일본 도호쿠대 대학원의 오미(大見) 다다히로 교수 연구팀이 직경 3백mm의 대형 실리콘웨이퍼에 대응하는 차세대 반도체제조 시스템을 개발했다고 「日本經濟新聞」이 최근 보도했다.
오미 교수팀의 차세대 시스템은 제조공정의 핵심으로 진공 용기 가운데 설치한 직경 3백mm의 웨이퍼상에 배선 및 절연에 필요한 여러가지 막(膜)을 중첩시켜 만드는 장치와 미세가공에 사용하는 장치 등으로 구성된다.
이 시스템은 웨이퍼의 대형화에도 불구하고 제조장치류의 설치면적을 현행에 비해 10% 이상 작게 할 수 있는 것이 특징으로 클린룸 신설 등에 따른 추가투자를 최소한으로 억제하는데 기여할 것으로 보여 주목된다.
일반적으로 3백mm 웨이퍼대응 제조시스템은 현행 주력인 2백mm 시스템에 비해 장치가 대형화, 2배 이상의 설치면적이 필요한 것으로 지적되고 있다.
그러나 오미 교수팀은 이번 시스템에서 높은 기압에서 초진공 상태로까지 압력을 매우 빠른 속도로 바꿀 수 있는 특수 구조의 배기 펌프를 독자 개발, 효율적으로 배치함으로써 장치 설치면적을 크게 줄이는 데 성공했다.
또 원료개스를 플라즈마화 하는 장치 등을 개량해 넓은 면적의 웨이퍼에서도 원료개스가 구석구석까지 골고루 퍼질 수 있도록 하는 한편 원료개스 처리후에는 잔류개스가 신속히 회수될 수 있도록 해 메모리나 액정 패널 등 제품 품질의 안정성을 높였다.
<신기성 기자>