메모리연구소
현대전자 메모리연구소(소장 김세정)는 지난 86년 현대전자산업연구소에서 분리, 독립연구소로 설립된 것. 현대전자가 세계 4위의 메모리 반도체 회사로 도약할 수 있도록 기술적으로 뒷받침하는 연구개발에 주력하고 있다.
그동안 1M, 4M, 16M, 64M, 2백56MD램, 1M, 4M S램, 2M, 4M, 16M 플래시 EEP롬 제품군 등을 연속적으로 개발해냈다. 특히 지난 95년 세계 최초로 개발한 동기식 2백56M D램을 개발하고 지난해 2세대 EDO타입 및 싱크로너스타입 64MD램, 싱크로너스 D램은 현대의 기술력을 전세계에 떨친 쾌거였다. 이러한 성과는 무엇보다도 현대전자가 후발주자임에도 불구하고 초고집적과 초절전을 실현하는 반도체 설계능력을 단기간 동안에 확보하고 있었기 때문에 가능했던 것.
메모리연구소는 특히 S램 분야에서 그동안 연구개발 경험이 풍부한 1M 슬로우/싱크 및 4M 슬로우 관련 기술을 바탕으로 앞으로 2백MHz이상의 초고속 및 저전력 제품개발에 주력할 계획이다. 또 플래시 EEP롬 분야에서도 과거 수년간의 연구개발의 결과로 성공한 4M급 제품이 성공적으로 양산, 판매되는 만큼 16M급 양산기술 개발에도 본격 나설 방침이다. 이와 함께 설계, 소자공정 개발 등을 비롯해 시험기술, 모듈기술, 소자특성기술, CAD지원기술, 마스크 지원기술, 장비기술, FAM운영기술 등 지원기술의 개발도 앞으로 더욱 확대해나갈 계획이다.
메모리연구소는 또 한번의 도약을 위해 최근 일본의 정상급 컴퓨터 회사인 후지쯔를 비롯해 미국의 램버스, 소프트디바이스, 사이메트릭스 등 반도체 설계전문 회사들과도 공동설계를 위한 협력협정을 맺는 한편 3백mm급 워이퍼 공정 및 장비기술 개발을 위한 국제 컨소시엄 등에도 활발하게 참여하고 있다. 연구원 숫자는 1천8백명, 연구비 규모는 올해 3천8백억원이다.