삼성전자, LG반도체, 현대전자, 아남산업 등 국내 반도체4사가 새해부터 메모리 라인을 비메모리 라인으로 교체, 비메모리 반도체 생산에 주력한다.
12일 관련업계에 따르면 최근 반도체 일관가공(FAB)사업에 진출한 아남산업이 올해부터 디지털신호처리기(DSP)의 본격적인 양산에 착수한 가운데 삼성, LG, 현대 등 3사도 기존 메모리 생산라인의 개, 보수를 통한 비메모리 생산라인 구축 및 가동에 박차를 가하고 있다.
이처럼 국내 반도체업체들이 비메모리 생산에 주력하는 것은 그동안 개발단계에 머물던 D램복합칩(MDL), 미디어프로세서, MCU 등의 각종 비메모리 제품들이 최근 본격적인 양산단계에 접어든 데다 D램 경기위축에 따른 국내 업체들의 파운드리(Foundry)사업 추진과 0.35미크론급 주문형반도체(ASIC)시장 공략이 점차 가속화하고 있기 때문으로 풀이된다.
삼성전자는 지난해 64KD램, 2백56KD램, 4MD램 등 저급 제품을 생산해 온 제1, 제2, 제3라인을 마이크로프로세서 제품과 ASIC 전용생산라인으로 바꾼 데 이어 최근 3백억원 가량을 투입해 6인치 웨이퍼 생산설비인 제4라인을 비메모리용으로 전환했으며 8인치 웨이퍼용인 제5라인도 메모리와 비메모리 혼용라인을 구축, 알파칩과 임베디드 메모리의 양산에 착수했다.
LG반도체도 지난해 5,6인치 웨이퍼 생산설비인 구미공장을 비메모리 전용라인으로 교체한 데 이어 최근 1백억원 이상을 투입, 청주공장 내 6인치 및 8인치 생산라인 1개씩을 각각 비메모리 전용 및 메모리와 비메모리 혼용라인으로 전환하고 이를 첨단 미디어프로세서 또는 0.35미크론급 ASIC 생산용으로 활용하고 있다.
현대전자는 비메모리사업을 강화하기 위해 미국 현지법인인 심비오스사 제품의 국내 생산과 미국 및 동남아 업체들을 상대로 한 파운드리사업을 적극 추진한다는 기본방침을 세우고 FAB 1에 이어 FAB 3, 4 등 그동안 4MD램과 16MD램 초기세대 제품을 생산해온 반도체 라인을 비메모리용으로 교체하는 작업을 진행중이다.
지난해 월 2만5천장 웨이퍼 가공능력의 비메모리 생산라인을 구축한 아남산업은 최근 이공장을 통한 DSP 반도체 생산 및 테스트에 성공함에 따라 올해부터 본격적으로 라인가동에 들어간다.
업계의 한 전문가는 『최근 가속화하고 있는 국내 반도체업체들의 비메모리 전용라인 구축 및 가동은 D램 반도체 시황을 고려할 때 매우 바람직한 현상』이라고 전제하고 『특히 비메모리 공정의 경우 메모리와 같은 MOS공정이기 때문에 생산라인 교체 및 공정 개발에 큰 어려움이 없어 국내 반도체업계의 생산품목 다각화에도 많은 도움이 될 것』으로 전망했다.
<주상돈 기자>