히타치-미쓰비시-TI연합, 1GD램 개발라인 건설 1년 연기

일본 히타치제작소와 미쓰비시전기, 미국의 텍서스 인스트루먼츠(TI)가 공동 추진하고 있는 1GD램 개발 계획이 차질을 빚고 있다.

「日本經濟新聞」에 따르면 1GD램 개발의 한 축을 형성하고 있는 3사 연합은 최근들어 시황 악화로 자금 사정이 크게 나빠짐에 따라 1GD램 개발용 시제품 생산라인의 건설을 1년 연기키로 결정했다. 이에 따라 3사 연합의 최첨단메모리 개발 계획은 당초 일정보다 다소 늦춰질 전망이다.

이번 3사의 시제품 라인 건설 연기는 반도체업체들의 투자 축소가 연구개발분야에까지 미치고 있음을 의미하는 것으로 향후 반도체 업계 전반에 걸쳐 상당한 파장을 일으킬 것으로 우려된다.

3사는 지난해 2월, 2천1년 시장 투입을 목표로 1GD램을 공동 개발한다는 데 합의했다. 공동개발의 목적은 총 1천억엔 이상이 소요되는 개발비 부담을 줄인다는 것으로 3사는 이와 관련, 오는 3월부터 약 2백억엔을 투자한 시제품 라인을 히타치제작소 중앙연구소내에 건설해 개발을 본격화해 나갈 계획이었다.

그러나 D램 시황의 침체로 지난해 실적이 크게 악화되면서 3사는 시제품 생산라인 건설을 통한 공동 개발을 1년 정도 연기하게 되었고 이미 반도체제조장비업체 등에 새 라인 건설 계획의 변경을 통보, 제조장비 구입을 일단 취소한 것으로 알려졌다.

3사 관계자들은 『공동 개발의 기본 계약은 그대로 유지하면서 각사가 개별 실시해온 기술 개발을 1년 연기하는 것일 뿐』이라 설명하고 3사 연합은 존속될 것이라 강조했다.

그러나 최근 D램 사업의 수익성에 대해 3사 내부에서조차 우려의 목소리가 높아지고 있어 앞으로 3사 공동 개발이라는 기본 계약까지 변경될 가능성도 전혀 배제할 수 없는 상황이다.

한편 1GD램 개발에서 3사 연합과 다른 축을 형성하고 있는 NEC의 한 고위 관계자는 『연구 개발의 지연은 장기적으로 수익성 약화로 이어질 가능성이 있다』며 『연구 개발 자체의 지연은 결코 바람직 하지 않다』고 밝혀 자사의 1GD램 개발 계획은 그대로 추진할 것임을 시사했다.

<심규호 기자>