64M와 2백56MD램 사이의 과도기적 제품이라고 할 수 있는 1백28MD램 시장에 삼성전자에 이어 한국과 일본 반도체업체들이 속속 참여키로 함으로써 메모리 반도체 분야의 세대교체가 더욱 빨라질 전망이다.
21일 관련업계에 따르면 지난 2월 삼성전자가 세계 처음으로 1백28M 싱크로너스 D램을 개발, 양산에 나선 데 이어 최근 미쓰비시, NEC 등 일본의 메이저 반도체업체들이 제품을 출시하기로 결정하는 등 1백28MD램 시장이 서서히 기지개를 켜고 있다.
또한 현대전자, LG반도체 등 국내업체들도 조기 양산을 검토하고 있어 이르면 올 하반기를 기점으로 1백28M 싱크로너스 D램 시장이 활기를 띨 것으로 예상된다.
이처럼 그동안 관망자세를 보이던 D램업체들이 서둘러 1백28MD램 시장에 참여하고 있는 것은 인텔의 고성능 PC규격인 PC100이 시장에 출하되면서 대용량 메모리 수요가 크게 늘 것으로 전망되기 때문으로 보인다.
특히 차세대 제품인 2백56MD램이 별도의 공정과 시설을 필요로 하는 것과 달리 1백28MD램은 기존 64MD램 라인의 부분적인 개조만으로 양산이 가능한 데다 64MD램과 동일한 패키지를 사용, 64M와의 호환성을 유지하고 있다는 점도 1백28MD램의 조기 출현을 부추기고 있다.
삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 1백28M 싱크로너스 D램의 개발에 성공, 주요 컴퓨터업체들에 샘플을 공급한 데 이어 이달 중으로 본격적인 양산에 나설 계획이다.
0.23미크론의 초미세 회로선폭 공정을 적용해 개발한 이 제품은 기존 64MD램 설계기술과 공정기술을 결합, 기존의 64MD램과 동일한 칩 크기를 유지함으로써 시스템의 변경없이 제품을 채택할 수 있도록 설계됐다.
특히 버스 주파수 1백33㎒를 완벽하게 지원, 최근 시장에 출하되기 시작한 「PC100」을 중심으로 폭넓은 수요가 발생할 것으로 전망된다.
현대전자는 올 상반기안에 PC100에 적용될 수 있는 버스 주파수 1백㎒ 이상의 1백28MD램 개발을 마무리짓고 하반기부터 본격적인 양산체제를 구축, 시장에 출하한다는 계획이다.
LG반도체도 1백28MD램 제품 개발 작업을 마무리, 3, Mbps분기부터 샘플을 공급하고 하반기나 내년 초부터 본격적인 양산에 나설 방침이다.
이와함께 일본의 미쓰비시사는 최근 그동안 64MD램을 생산해온 0.2미크론 공정 라인을 활용해 싱크로너스방식 1백28MD램을 생산키로 결정, 3, Mbps분기에 샘플 공급을 시작하고 12월경부터 본격 양산에 나설 방침이다.
NEC도 수주안에 1백28M 싱크로너스 D램 샘플을 제작, 컴퓨터업체들에 공급하기로 결정한 것으로 알려졌다.
이처럼 메모리 반도체 분야의 메이저업체들이 잇따라 1백28MD램 시장에 진출키로 함에 따라 최근 16M와 64M간 세대교체가 진행중인 메모리 반도체시장의 발전 속도는 더욱 가속화할 전망이다.
<최승철 기자>