최근 삼성전자가 차세대 메모리 반도체인 2백56M D램의 생산에 성공했다는 소식이 전해지자 이러한 2백56M D램의 조기 양산이 국내외 반도체 장비 및 재료 산업에 미칠 파급 효과에 대해 해석이 분분하다.
이러한 논의는 삼성측이 2백56MD램 생산 소식을 발표하며 「추가 설비투자 없이 기존 64M 생산 설비로 2백56MD램 양산에 성공했다」는 부분을 굳이 강조한데서 출발한다.
그동안 반도체 장비 및 재료 업계에서는 2백56M 이상의 D램은 3백㎜ 대구경 웨이퍼 가공 설비와 0.18미크론 이하의 미세공정기술로만 가능하다는 것을 정설로 인정해 왔다.
하지만 삼성이 기존 2백㎜ 웨이퍼 설비를 이용한 양산기술로도 2백56MD램의 조기 생산에 나설 수 있다는 가능성을 내비침에 따라 올해 하반기부터 본격화될 것으로 예상되던 3백㎜ 관련 제품의 출시 및 시장 형성 시기가 상당 기간 늦추어 질 수밖에 없을 것이라는 주장까지 제기된 것.
하지만 이에 대한 반도체 전문가들의 분석은 삼성이 기존 2백㎜ 웨이퍼 설비를 이용해 2백56MD램의 생산에 성공했다는 사실을 굳이 확대 해석할 필요는 없다는 쪽으로 기울고 있다.
우선, 이들은 웨이퍼의 구경과 고집적 반도체 제조를 위한 미세 회로 가공 기술과는 별개의 문제라는 점을 강조한다. 이미 3∼4년전에 2백56MD램 설계 기술을 개발한 삼성이 2백㎜ 웨이퍼를 통해 2백56MD 램의 생산에 성공했다는 사실에서 그 작업 대상 웨이퍼의 구경이 몇 ㎜인지는 별다른 기술적 의미가 없다는 뜻이다.
실제로 세계 주요 반도체 업체들이 적극적으로 3백㎜ 웨이퍼 설비 도입을 추진하고 있는 것은 제조 기술적인 측면보다는 향후 한층 치열해질 반도체 가격 싸움에서 승리하기 위한 제조원가 절감 차원에서 진행되고 있다.
그리고 3백㎜ 웨이퍼의 경우 기존 2백㎜ 웨이퍼 보다 단위당 2.25배 이상 칩을 더 생산할 수 있는 등 생산성 측면면에서 훨씬 유리하다는 것은 이미 수많은 반도체 관련 기관들에 의해 공인된 사실이다.
따라서 향후 2백56MD램의 시장이 형성됐을 때 삼성전자가 2백㎜ 웨이퍼 설비를 가지고 2백56MD램의 양산에 나선다해도 과연 그 제품이 생산수율 및 가격면에서 시장 경쟁력을 가질 수 있을 지는 아직 미지수다.
결국, 삼성의 이번 2백56MD램 생산 성공은 이 시장이 아직 형성되지 않은 현재 시점에서 만약 가격과 상관없이 이에 대한 수요가 발생한다면 삼성은 2백56MD램을 공급할 수 있는 몇 안되는 업체중의 하나라는 의미, 그 이상도 그 이하도 아니라는 것이다.
따라서 최근 IMF이후 추가 설비 투자 자금 확보가 어려워지면서 2백56MD램 생산을 위한 3백㎜ 웨이퍼 관련 설비 투자가 불가능한 상황이라 하더라도 삼성이 기존 생산설비를 이용해 시장 경쟁력 있는 2백56MD램을 조기 양산할 수 있다는 주장은 너무 성급한 생각이라는게 반도체 관련 업계의 지배적인 시각이다.
<주상돈 기자>