전공정 장비 전문업체인 주성엔지니어링(대표 황철주)은 고밀도 플라즈마(HDP:High Density Plasma) 방식의 새로운 화학증착(CVD)장비를 국내 업계 최초로 개발했다.
HDP CVD는 반도체 제조공정의 웨이퍼 증착과정에서 단위 면적당 10¹²개 이상의 고밀도 플라즈마 소스를 사용, 각종 반도체 증착막의 균일도 및 신뢰성을 획기적으로 향상시킨 첨단 CVD 장비다.
특히 주성이 개발한 HDP CVD는 현재까지 출시된 다른 외산 장비들이 플라즈마를 한 방향으로 발산시키는 것과는 달리 플라즈마를 수직 및 수평 양방향으로 조절 가능토록 함으로써 웨이퍼 표면에서의 증착 균일도를 종전보다 훨씬 향상시켰다.
이처럼 높은 증착 균일도를 보유함으로써 이 장비는 차세대 반도체 제조시 적용되는 IMD(InterMetal Dielectric) 또는 PMD(PreMetal Dielectric) 등의 각종 금속층간 절연막 증착 공정에 폭넓게 사용될 수 있으며 회로선폭 0.18미크론 이하의 공정에서도 기포 결함(Void Defect)이 없는 평판화 공정이 가능하다.
특히 이 장비로 증착된 산화막은 높은 식각 선택비 및 내구성을 지녀 2백56MD램 이상의 고집적 반도체 제조에 사용될 SAC(Self Align Contact) 공정에서 최종 식각 방지용 레이어(Etch Stopper Layer)로도 활용될 수 있으며 이러한 모든 공정을 5백도 이하의 상대적으로 낮은 온도 상태에서 작업한다고 회사측은 밝혔다.