현대전자(대표 김영환)가 LG반도체와 삼성전자에 이어 72M 다이렉트 램버스(R) D램 개발에 성공, 차세대 고속 메모리반도체 시장에 본격 가세한다.
현대전자는 0.22미크론(1㎛=1백만분의 1m)의 미세회로선폭 기술을 적용한 72M 다이렉트 램버스 D램 제품을 개발, 99년 1·4분기부터 양산에 나서는 한편 2·4분기부터는 월 1백만개 이상의 제품을 생산할 계획이라고 15일 밝혔다.
특히 이 제품은 최첨단 공정을 적용, 제품의 사이즈를 최소화시켰으며 2.0∼2.5V의 저전압·저소비전력과 클록주파수 8백㎒의 초고속처리기능을 구현한 것이 장점이다.
가장 유력한 차세대 메모리반도체 기술로 부상하고 있는 다이렉트 램버스 D램 시장에 현대전자가 가세함에 따라 국내 반도체 3사가 모두 이 시장에 참여하게 됐다.
현대전자는 15일부터 미 캘리포니아주 팜스프링스에서 열리고 있는 인텔 개발자 포럼(IDF)에 램버스 D램과 모듈을 전시하고 있다.
한편 다이렉트 램버스 D램은 오는 2000년 64MD램 이상의 메모리 반도체 시장의 15%인 30억 달러 규모의 시장을 형성할 것으로 예상되고 있다.
〈최승철 기자〉