삼성전자(대표 윤종용)는 삼성종합기술원과 공동으로 차세대 메모리 반도체로 주목받고 있는 64k Fe램(Ferroelectric RAM:강유전체 메모리반도체) 엔지니어링 샘플 개발에 성공했다고 7일 밝혔다.
Fe램은 고용량 데이터 저장기능의 D램과 고속동작의 S램, 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 플래시 메모리 반도체의 장점을 모두 갖춘 미래형 반도체로 선진 반도체업체들이 치열한 개발 경쟁을 벌이고 있는 제품이다.
이번에 개발한 제품은 1T/1C(1개의 트랜지스터에 1개의 커패시터 구조)의 메모리 셀 구조와 이중 금속 배선 공정을 적용해 집적도와 동작속도를 크게 개선, 기존에 나와 있는 Fe램 제품에 비해 처리속도와 데이터 처리의 안정성을 대폭 강화한 것이 장점이다.
현재 64k Fe램은 미국의 램트론사가 2T/2C 메모리셀 구조을 가진 단일배선공정 제품을 상품화했으나 집적도와 패키지 공정의 기술적 한계로 스마트 카드와 게임기 등 16k 이하의 용량이 필요한 제품에만 제한적으로 사용되고 있다.
삼성전자는 이번 64k Fe램 샘플 출하를 계기로 휴대형 멀티미디어 기기에 채용될 수 있는 4M급 이하 제품 개발에 적극 나설 계획이다.
한편 Fe램은 메가급 제품이 본격 출시되는 오는 99년부터 휴대형 정보기기나 멀티미디어 기기를 중심으로 기존 S램이나 플래시 메모리를 대체할 것으로 예상되며 2000년 약 30억달러 규모의 시장을 형성할 것으로 보인다.
<최승철 기자>