삼성전자(대표 윤종용)는 64MD램 4세대 이상의 고집적 메모리 반도체 제조에 사용되는 무결정결함 웨이퍼인 「삼성 웨이퍼 Ⅱ」를 세계 최초로 개발, 양산 라인 적용에 성공했다고 1일 밝혔다.
이 웨이퍼는 실리콘 원료 배합시 발생하는 기포를 최소화시키는 COP(Crystal Originated Particle) 제거 기술을 통해 웨이퍼 표면 결함을 완전히 없앰으로써 추가적인 표면가공 없이도 고집적 반도체를 제조할 수 있는 차세대 폴리시드(Polished) 제품이다.
그동안 반도체 웨이퍼시장을 주도해온 폴리시드 제품은 웨이퍼를 만들 때 실리콘이 빠져나가면서 생기는 0.1∼0.2미크론 크기의 미세한 결정결함들로 인해 64MD램 3세대 제품 이상부터는 사용하기 힘들었다. 따라서 차세대 반도체는 표면 무결정결함의 특성을 지닌 에피택셜 제품(이하 에피웨이퍼)으로 만들어야 할 것으로 예견돼 왔다.
반면 삼성이 개발한 새로운 웨이퍼 가공기술은 기존 폴리시드 제품을 추가 표면가공 없이 그대로 적용할 수 있도록 함으로써 생산원가 상승요인이 기존 웨이퍼의 10% 수준에 불과, 향후 2001년까지 2억 달러 이상의 생산원가 절감효과를 거둘 수 있다고 삼성 측은 설명했다.
특히 이러한 무결정결함 웨이퍼 제조기술은 세계 최대 반도체 웨이퍼 가공업체인 일본의 신에쓰·미쓰비시 등에 이미 1천만 달러의 기술사용료를 받고 수출됐으며 SEH·MSIL 등 국내외 다른 웨이퍼 제조업체들도 이 기술의 도입을 현재 적극적으로 검토중이다.
삼성은 이번 무결정결함 웨이퍼의 개발과 관련된 각종 기술을 국내는 물론 미국 등 8개국에 이미 특허 출원했으며 향후 이 기술을 2백56MD램 양산과 3백㎜ 웨이퍼 제조에까지 확대 적용시켜 나갈 계획이다.
<주상돈기자 sdjoo@etnews.co.kr>