삼성전자가 램버스 D램과 더불어 차세대 메모리 제품으로 부상하고 있는 더블데이터레이트(DDR) D램과 기존 싱크로너스 D램(PC100) 규격까지 만족시키는 1백28M DDR D램을 개발했다.
삼성전자는 지난해 6월 업계 처음으로 64M DDR D램을 개발한 데 이어 1백28M DDR D램을 개발해 올 하반기부터 양산에 착수한다고 8일 밝혔다.
이번에 개발된 1백28M DDR제품은 정보처리 속도가 2백66㎒로 초당 2천6백만자를 전송할 수 있으며 2.5V의 낮은 전력을 소비한다. 특히 기존 DDR제품이 정보처리속도를 두 배로 향상시키면서도 제조비용 증가를 최소화하는 데 장점이 있었으나 이번 제품은 현재 사용되고 있는 싱크로너스 D램과 DDR D램을 원칩화한 것이 특징이다.
삼성전자 D램 설계실 조수인 상무는 『DDR·램버스 D램·PC133 등 차세대 신규격 제품에 대한 양산 라인업 을 완료, 앞으로 전개될 메모리 D램 시장에서도 확고한 시장 장악력을 유지할 수 있게 됐다』고 밝혔다.
<유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr>