삼성전자의 차세대 D램으로 개발중인 1기가 더블데이터레이트(DDR) D램 기술이 ISSCC(International Solid State Circuits Conference)협회 논문으로 채택됐다.
삼성전자가 이번에 발표한 내용은 0.14미크론 가공기술을 적용, 1기가 DDR 제품 설계시 고속작동의 문제점으로 지적돼온 순간 데이터 지체현상을 해소해 고속작동을 가능케 할 뿐만 아니라 기존 2백56M, 64M와 호환이 가능하도록 한 것이다.
ISSCC는 국제전기전자공학기술협회(IEEE)의 산하단체로 25개국에서 1만여명이 활동하고 있으며 반도체 분야에서 권위를 자랑하는 국제 학술단체다.
삼성전자는 지난해 ISSCC학회에 64M, 1백28M DDR SD램을 발표한 데 이어 이번에 1기가 DDR 기술 논문도 발표, DDR관련 기술을 지속적으로 선도하고 있다.
<유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr>