가장 유력한 차세대 메인메모리로 부상하고 있는 다이렉트 램버스 D램(RD램)이 오작동을 일으킬 수 있는 설계상의 오류가 뒤늦게 발견돼 반도체업체들이 문제 해결에 고심하고 있다.
6일 관련업계에 따르면 인텔사는 다이렉트 RD램에 저장된 마지막 비트 정보를 읽을 때 레지스터 용량 부족으로 1을 0으로 잘못 인식하는 오류가 발생한다는 사실을 발견한 것으로 알려졌다.
이와 관련, 인텔사는 최근 다이렉트 RD램 제조업체들에 문제 해결을 요청하는 공문을 보낸 것으로 전해졌다.
특히 이번에 발견된 오류는 마스크 공정에 설계를 수정하는 작업을 필요로 하는 것으로 알려져 문제 해결에 수개월 이상이 소요될 가능성이 적지 않다는 분석이다.
이에 따라 인텔사의 칩세트 개발 차질로 당초 상반기에서 오는 9월로 출시시기가 지연됐던 다이렉트 RD램의 상용화가 더 늦어질 가능성이 점쳐지고 있어 다이렉트 RD램 생산을 준비해온 국내 반도체업체는 물론 인텔사의 펜티엄Ⅲ 마케팅에도 적지 않은 악영향을 미칠 것으로 전망된다.
더욱이 다이렉트 RD램의 완승으로 마무리될 것으로 보이던 차세대 메인메모리 표준화 경쟁이 이번 버그 발생으로 새로운 국면을 맞게 될 가능성까지 예견되고 있는 상황이다.
이와 관련, 삼성전자와 LG반도체 등 국내 반도체업체들은 『이번에 발견된 프로그램 오류는 소프트웨어적인 수정이 가능한 것으로 오는 9월 상용화에는 문제가 없을 것』이며 『제품의 세대교체시에도 마스크 레이어에 일부 메탈 공정을 추가하는 극히 부분적인 설계 수정만으로 해결이 가능하다』고 해명했다.
<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>