현대전자 메모리연구소 배상만 선임연구원
『IMF 시대의 어려움에도 불구하고 지금도 불철 주야 연구개발하고 있는 발명가 여러분들과 이 기쁨을 함께 하고 싶습니다.
특히 그동안 연구 업무에 전념할 수 있도록 각종 지원을 아끼지 않은 연구소 관계자들께 감사합니다.』
올해 「발명대왕」으로 선정된 배상만 현대전자 메모리개발연구소 선임연구원은 최고 발명가로 인정받은 영광을 그동안 연구개발에 함께 참여한 연구원 전체의 공으로 돌렸다.
그를 올해 최고의 발명가로 만든 것은 반도체 제조 공정 가운데 최고의 핵심 기술 영역이라 할 수 있는 리소그래피 분야에서 수백 나노미터(10억분의 1m) 수준의 미세 회로선폭 기술을 개발한 공로 때문.
반도체 리소그래피 기술 분야는 광학·화학 등 종합적인 기초 과학기술의 이해 없이는 단순 접근조차 불가능한 최첨단·고부가가치 영역이다.
89년 한양대 물리학과를 졸업하고 현대전자와 인연을 맺은 배상만 선임연구원은 지난 10년간 반도체 FAB 공정 분야에서 연구활동을 계속해온 국내 최고의 전문가다.
특히 이번에 공로를 인정받은 미세 패턴 형성 기술은 이미 3년전에 관련 특허를 확보하고 현재는 기초 기술의 검증까지 완료한 상태며 리소그래피 기술의 최근 동향을 볼 때 이 기술은 잠재적 적용 가능성이 무한할 것으로 평가된다.
배 연구원은 『발명자에게 가장 보람된 일은 이번처럼 자신이 발명한 결과에 대해 회사를 비롯한 주변 사람들이 그 가치를 인정하고 정당한 평가를 내려줄 때』라며 이번 수상의 기쁨을 숨기지 않았다.
<주상돈기자 sdjoo@etnews.co.kr>