현대전자(대표 김영환)가 이동통신 단말기에 사용되는 저전압 4M S램(Static Random Access Memory)을 개발, 상용 샘플을 출하했다고 19일 밝혔다.
0.25㎛(1미크론은 100만분의1m) 미세회로 공정기술로 생산되는 이 제품은 1.8V의 저전압에서 85나노초(1나노초는 10억분의1초) 속도로 작동하며 동시에 3V 전압에서도 55나노초로 작동함으로써 전압선택 폭이 넓고 대기 상태시 전력 소비가 4마이크로 암페어로 크게 적어 IMT2000 단말기 및 이리듐(인공위성 이동통신) 등 휴대형 멀티미디어 기기에 채택할 수 있다. 또한 0.32㎛ 회로선폭을 적용한 기존 제품보다 칩 크기가 50% 이상 작고 패키지도 소형 마이크로 볼그리드어레이(BGA)를 채택, 소형·경량화되는 차세대 이동통신 단말기에 적합하다. 현대전자는 올 4·4분기부터 월 200만개의 4M S램을 양산, 올해 5000만달러의 매출을 달성하고 2000년에는 생산량을 월 500만개로 늘려 연간 3억달러 이상의 매출을 올릴 계획이다.
현대전자는 이번 4M S램 개발에 이어 조만간 8M S램 생산체제를 구축해 D램에 이어 S램 분야를 주력 사업으로 육성할 방침이다.
한편 반도체 분야의 시장조사업체인 데이터퀘스트에 따르면 지난해 S램 세계시장규모는 37억달러를 기록했고 이후 연 30% 이상 성장해 2001년에는 100억달러의 시장을 형성할 것으로 전망된다. 특히 현대전자가 주력하고 있는 통신기기용 제품이 전체 S램시장의 25% 정도를 차지할 것으로 보인다.
<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>