현대전자(대표 김영환)가 차세대 메모리 반도체시장을 놓고 램버스 D램과 치열한 표준 경쟁을 벌이고 있는 128M DDR(Double Data Rate) 싱크로너스 D램 샘플을 출하했다고 6일 밝혔다.
이 제품은 DDR분야의 최신 규격인 PC266A(CL2)를 만족시키는 세계 첫 제품이라고 현대전자는 설명했다.
현대전자는 올해초 세계적 컴퓨터 회사인 미국의 IBM사, 휴렛패커드(HP)사 등에 64M DDR 싱크로너스 D램 칩과 모듈을 공급한 지 불과 3개월여 만에 128M DDR 싱크로너스 D램 샘플을 출하함으로써 DDR 싱크로너스 D램 초기 시장 선점에 유리한 고지를 점하게 될 것으로 기대하고 있다.
현대전자가 생산하는 128M DDR 싱크로너스 D램은 0.22㎛(1미크론은 100만분의 1m)의 미세회로 공정으로 개발됐으며 국제표준화기구인 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)에서 최근 확정된 PC266A(CL2) 규격을 만족시킨다.
또한 4, 8, 16비트 등 다양한 데이터 버스 폭을 지원하고, 클록 주파수는 133㎒는 물론 최대 143㎒까지 지원한다. 핀당 데이터 전송속도는 266Mbps에서 최고 286Mbps로 같은 주파수의 싱크로너스 D램보다 2배이상 빨라 PC서버나 고성능 워크스테이션 등 대용량 고속 메모리를 필요로 하는 제품에 적합하다.
현대전자는 128M DDR 싱크로너스 D램의 양산을 올해 3·4분기부터 본격화, DDR 싱크로너스 D램분야에서 올해 2000만달러, 2000년 약 3억달러의 매출을 올릴 계획이다.
이번 128M DDR 싱크로너스 D램 출시로 현대전자는 DDR를 비롯해 다이렉트 램버스 D램, 가상채널(Virtual Channel) 메모리 등 다양한 차세대 고속 메모리 제품군을 갖추게 돼 99년 하반기부터 본격화할 고속 메모리시장 경쟁에 효율적으로 대처할 수 있게 됐다.
<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>