【오스틴(미국)=주상돈기자 sdjoo@etnews.co.kr】 삼성전자(대표 윤종용)가 회로선폭 0.13미크론의 초미세 가공기술을 적용한 1기가(G) DDR(Double Data Rate) 싱크로너스 D램의 상용 제품을 세계 처음으로 개발하는 데 성공했다.
삼성전자는 미국 텍사스주 오스틴에 있는 반도체 공장에서 데이터 처리속도가 350㎒에 달하는 1G DDR 싱크로너스 D램의 개발을 완료, 올 하반기부터 본격적인 엔지니어링샘플(ES) 공급에 착수할 계획이라고 지난 25일(현지시각) 밝혔다.
이번 1G DDR 반도체 개발은 0.13미크론(1㎛은 100만분의 1m)의 초미세 가공기술을 800여개의 전체 반도체 공정에 적용, 양산 가능성을 검증한 것으로 칩 크기가 경쟁업체들이 개발중인 1G D램 반도체보다 30∼40% 작다.
삼성전자는 지난해 말 0.18미크론 공정을 적용한 1G D램의 엔지니어링 샘플을 선보인 데 이어 이번에 1G DDR 싱크로너스 D램의 개발에 성공함으로써 차세대 D램 초기 시장 선점에 유리한 고지를 차지할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
1G 반도체는 약 349㎟ 크기의 칩 속에 신문지 8000장, 200자 원고지 32만장, 단행본 160권 분량의 정보를 기억할 수 있는 대용량 메모리 반도체로 일본의 1, 2개 반도체업체만이 개발작업을 추진중인 첨단 고부가가치 제품이다.
이번에 적용된 0.13미크론 공정은 사람 머리카락을 약 800개로 쪼갤 수 있을 정도의 초미세 반도체 회로형성 기술이다.
또한 DDR 싱크로너스 D램은 삼성전자를 비롯해 현대전자·후지쯔 등 세계 주요 반도체 제조회사가 합의한 차세대 고속 D램의 표준규격으로 현재 램버스 D램과 치열한 표준경쟁을 벌이고 있는 가운데 향후 비(非)인텔 CPU를 채용한 PC에 주메모리로 채택될 가능성이 높을 것으로 예상되고 있다.