1G DDR 싱크로너스 D램 제품 발표를 위해 황창규 삼성전자 반도체연구소장이 미국 오스틴 공장을 직접 방문했다. 다음은 황 부사장과의 일문일답.
-이번 1G 반도체 개발의 의미는.
▲0.13미크론급 초미세 가공기술을 반도체 양산라인에 세계 최초로 적용, 완벽히 구현했다는 점이다. 이번에 개발한 0.13미크론 공정기술을 현재의 주력제품인 128MD램과 조만간 본격화될 256MD램의 생산에 적용할 경우 생산성이 230% 이상 향상돼 세계 반도체시장에서의 제품 경쟁력을 더욱 확고히 할 수 있을 것으로 본다.
-DDR보다는 램버스 D램이 앞으로 D램시장을 주도할 것이라는 전망에 대한 견해는.
▲차세대 메모리 반도체의 강력한 후보였던 다이렉트 램버스 D램의 상용화가 칩세트 개발 지연으로 주춤거리는 상황에서 최근 인텔도 싱크로너스 D램을 대상으로 한 PC133규격을 수용하겠다는 의사를 표명함에 따라 당분간은 램버스 D램과 DDR SD램이 메모리 반도체 시장을 양분할 가능성이 높을 것으로 본다.
특히 삼성은 DDR는 물론 램버스 D램에 대한 제품 개발능력까지 보유하고 있어 차세대 고속 메모리 시장 선점에 유리한 입지를 이미 확보한 상태다.
-1G 제품 출시와 앞으로의 시장 전망은.
▲올해 하반기부터 대형 거래선을 대상으로 개발된 제품의 본격적인 엔지니어링 샘플(ES) 공급에 들어갈 예정이다. 그리고 앞으로 DDR D램은 고성능 서버와 그래픽 시스템에 주로 채택될 것으로 보이며 오는 2002년에 전체 반도체시장에서 약 6% 가량을 차지할 전망이다.
-1G 반도체에 대한 외국 경쟁사들의 기술개발 수준은.
▲현재 일본 경쟁사인 도시바가 오는 2002년에 0.13미크론 공정기술을 적용한 1G D램의 양산 계획을 발표한 상태이며 NEC, 마이크론 등의 업체들도 현재 1G D램의 시제품 개발을 추진중인 것으로 안다.
이에 반해 삼성이 개발한 1G D램은 올해 말부터 실제 샘플 공급이 가능한 양산용 제품으로 경쟁사들보다 최소 1년 이상 앞선 기술이다.
<오스틴(미국)=주상돈기자 sdjoo@etnews.co.kr>