삼성전자가 0.13미크론 공정을 적용한 DDR SD램의 상용제품을 세계 최초로 개발함으로써 메모리 반도체 기술이 세계 최정상 수준임을 다시 한번 확인했다.
더욱이 다이렉트 램버스 D램으로 굳어지는 듯했던 차세대 메인 메모리 표준 경쟁이 DDR 반도체의 역공으로 혼전 양상을 보이는 가운데 삼성은 1G DDR 제품 생산능력까지 확보함으로써 차세대 D램시장 선점시 유리한 고지를 차지할 것으로 보인다.
또한 일본 등 외국 선진업체들이 1G D램의 개발 완료시기를 빨라야 내년 상반기 정도로 잡은 상황에서 상용제품에 근접한 차세대 제품을 잇따라 개발함으로써 메모리 반도체 시장주도권을 기가급 시대까지 이어갈 수 있을 것으로 기대된다.
이번에 개발된 1G DDR 반도체는 삼성이 지난 3월부터 출하하기 시작한 256MD램에 비해 정보 저장능력이 4배에 달하며 데이터 처리속도가 기존 PC100의 3.5배에 해당하는 350㎒급의 초고속 제품이다.
특히 이번 1G 반도체 개발에는 0.13미크론급 초미세 가공기술을 반도체 양산라인에 세계 최초로 적용, 완벽히 구현했다는 점에서도 높은 평가를 받고 있다.
이는 앞으로 300㎜ 웨이퍼 설비나 고가의 노광장비 도입을 위한 40억달러 이상의 추가 투자 없이도 차세대 반도체 생산과 가격 경쟁력을 계속 유지할 수 있음을 의미하기 때문이다.
더욱이 이번에 적용된 0.13 미크론 공정기술은 차세대 메모리 제품은 물론이고 현재의 주력 반도체 분야에도 적지 않은 영향을 미칠 것으로 보인다.
삼성전자는 이번 상용화에 성공한 0.13미크론 공정기술을 현재의 주력 제품인 128MD램과 조만간 본격화될 256MD램의 생산에도 적용, 제조 원가를 급격히 낮춰 세계 반도체시장에서의 시장경쟁력을 키운다는 전략이다.
현재 0.21∼0.23미크론급 공정기술을 적용하고 있는 64MD램과 0.18미크론 공정기술을 적용한 256MD램에 0.13미크론 공정기술을 적용할 경우, 웨이퍼당 생산량을 약 300개 이상으로 늘릴 수 있어 제품의 원가 경쟁력을 크게 높일 수 있다는 설명이다.
결국 이번 1G DDR 반도체의 개발을 통해 삼성전자는 차세대 메모리 시장경쟁에서도 기술력을 바탕으로 한 시장주도권을 계속 유지하는 동시에 이 기술을 현재 주력 제품에까지 확대 적용함으로써 가격경쟁력의 무한우위를 지키겠다는 의지의 표현이라는 것이 업계 전문가들의 분석이다.
한편 1G 메모리 반도체는 오는 2001년부터 본격 출시되기 시작해 2003년 216억달러에 이어 2005년쯤에는 약 1022억달러 규모의 시장을 형성할 것으로 전망된다.