삼성전자(대표 윤종용)가 최근 반도체 9라인의 가동을 시작한 데 이어 256MD램 이상의 차세대 제품을 생산하는 최첨단 메모리 반도체 생산라인(10라인) 건설에 착수, 최근 대대적인 체제 변화에 휩싸인 세계 D램 업계를 긴장시키고 있다.
특히 이번 삼성전자의 10라인 건설은 현재 메모리 반도체 시장의 주력 제품을 64MD램에서 256MD램 중심으로 조기에 전환시키겠다는 강력한 포석으로 분석돼 향후 세계 메모리 업계에 미치는 파장이 적지 않을 전망이다.
29일 관련업계에 따르면 삼성전자는 최근 경기도 화성군에 새로 조성되는 반도체 단지에 256MD램을 생산할 10라인 건설 작업을 시작했다.
이번 10라인 건설은 당초 내년 상반기 착공 목표를 6개월 이상 앞당긴 것이다.
이와 관련, 삼성전자는 10라인에 설치될 생산설비 가운데 납기가 비교적 긴 스테퍼 등 주요 장비에 대한 발주를 사실상 끝낸 것으로 알려졌다.
이번 10라인 조기 건설을 위해 삼성전자는 당초 12억 달러 수준으로 책정했던 올해 반도체 설비투자 규모를 지난 5월경 18억 달러로 상향 조정한 데 이어 최근 투자 예산의 추가 확보에 나선 것으로 알려졌다.
신규 건설되는 10라인은 0.18㎛(1미크론은 100만분의 1m) 공정을 사용하는 9라인보다 진보된 미세공정인 0.13∼0.15㎛ 공정을 도입할 예정이다.
특히 일부 미세공정에는 9라인에서 사용하는 기존 불화크립톤(KrF) 엑시머 레이저 광원 대신 193나노미터 파장을 이용하는 불화아르곤(ArF)광원의 최첨단 리소그래피시스템을 도입하는 방안도 적극 검토중인 것으로 전해졌다.
메모리 반도체 생산라인에 0.13∼0.15㎛ 미세공정 기술과 ArF 리소그래피 장비가 도입되는 것은 세계적으로 처음이다.
삼성전자가 256MD램 생산라인 추가 건설 계획을 앞당겨 추진하는 것은 최근 마이크론의 텍사스인스트루먼츠 D램 라인 인수, 현대전자의 LG반도체 합병, NEC와 히타치의 D램 부문 연합 등 세계 메모리 업계의 판도가 대형업체 중심으로 전환되고 있다는 판단에 따른 것이다.
경쟁사들보다 수 개월 앞서 차세대 제품인 256MD램 양산에 착수함으로써 초기 시장에서 발생하는 막대한 이윤을 독점하는 한편 D램 제품의 인위적인 세대 교체를 주도해 메모리 시장에서의 지배력을 더욱 강화하겠다는 의지로 분석된다.
이에 따라 삼성전자는 64MD램에 이어 256M∼1G D램 시장에서도 막강한 지배력을 갖추게 될 전망이다.
<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>