삼성전자(대표 윤종용)는 기존 싱크로너스 방식보다 전송속도가 2배 가량 빠른 450㎒의 더블데이터레이트(DDR)방식 초고속 4MS램을 개발, 내년 초부터 출시할 계획이라고 5일 밝혔다.
이 제품은 현재 주력 제품인 싱크로너스 방식의 한계로 지적되고 있는 250㎒보다 2배 가까이 빠른 처리속도를 가진 것으로 비동기전송모드(ATM), 이더넷 등 초고속 인터넷 관련장비, 고성능 PC 등에 주로 채용되는 제품이다.
현재 400∼500㎒ 안팎의 S램 가격은 15∼20달러선인 200㎒ S램의 3배 가까운 50달러선에서 거래되는 고부가가치 상품이다.
특히 삼성전자가 개발한 S램은 별도의 추가설비 투자없이 기존 공정을 그대로 활용, 생산원가를 기존 싱크로너스 제품 수준까지 낮출 수 있다는 점에서 향후 고속 S램 시장을 주도할 것으로 기대된다.
이 제품은 3.3V 전원을 사용하는 S램보다 낮은 2.5V의 저전압에서 작동하며 200㎒ 이상의 데이터를 송수신할 수 있는 고속 통신규격인 HSTL(High Speed TTL Logic)을 지원한다.
S램은 컴퓨터의 캐시메모리, 네트워크의 버퍼메모리 등 빠른 처리속도를 필요로 하는 제품과 휴대형 정보통신기기 등 저전력 소모형 제품에 주로 사용되고 있다.
특히 기존 컴퓨터의 캐시메모리 영역에서 인터넷과 이동통신기기 영역으로 S램 시장의 무게 중심이 이동하면서 점차 고속화·대용량화된 제품 중심으로 시장이 재편되고 있는 상황이다.
지난해 7억5000만달러의 매출로 세계시장의 20.5%를 점유, 4년 연속 1위를 기록했던 삼성전자는 이번 450㎒ 고속 S램 개발 성공으로 미래 성장산업인 인터넷 관련장비 시장선점이 가능할 것으로 전망, 올해 매출목표를 8억5000만달러로 상향 조정키로 했다.
<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>