전공정 반도체 장비 업체인 주성엔지니어링(대표 황철주)이 256MD램급 이상 고집적 메모리 반도체 제조에 사용될 차세대 화학증착(CVD) 장비의 본격적인 개발 및 공급에 나선다.
이 회사는 현재 D램의 커패시터 유전막으로 주로 사용되는 실리콘산화막(SiO₂)이나 실리콘질화막(Si₃N₄)을 대체할 새로운 반도체 증착 공정이 조만간 확산 채용될 것으로 보고 유기금속 화학증착(MOCVD) 또는 고밀도 플라즈마 화학증착(HDPCVD)과 같은 차세대 반도체 증착 장비의 개발 및 양산을 적극 추진키로 했다.
이에 따라 주성은 최근 반도체 장비에 부착된 체임버의 선택에 따라 텅스텐 실리사이드 및 폴리실리콘막 증착은 물론 차세대 증착 기술 가운데 하나인 탄탈룸산화막 증착 공정도 수행할 수 있는 CVD 장비를 개발, 국내 소자업체에 공급하기 시작했다.
또한 이 회사는 현재 주로 사용되는 실리콘계 재료대신 향후 도입될 구리(Copper) 및 BST 계열(바륨·스트론튬·티타늄) 강유전체 화합물 증착에 사용할 수 있는 새로운 MOCVD 기술도 최근 개발했다.
특히 주성은 지난달 세계적인 반도체 장비 업체인 일본진공기술(ULVAC Japan)과 차세대 반도체 장비 개발 및 세계 시장 공략을 위한 전략적 제휴 관계를 체결, 고집적 반도체 소자의 다층 배선 구조에 대응하는 금속 배선용 화학증착 장비의 개발도 추진중이다.
300㎜ 웨이퍼 장비 분야에서도 이 회사는 올해 300㎜용 저압 화학증착(LPCVD) 장비인 「Eureka3000」을 개발, 이미 국내 소자업체의 300㎜ 파일럿 라인에 공급하는 등 국내 장비 업체들 가운데 가장 발빠른 움직임을 보이고 있다.
주성엔지니어링의 한 관계자는 『이러한 차세대 화학증착 장비의 지속적인 개발 및 출시를 통해 반도체 증착 관련 토털 솔루션을 확보, 세계 최고의 CVD 장비 전문업체로 발돋움해 나갈 계획』이라고 말했다.
<주상돈기자 sdjoo@etnews.co.kr>