전세계적으로 상용화 초기단계에 있는 실리콘게르마늄(SiGe)소재의 반도체가 국내 순수기술로 개발됐다.
대우전자(대표 장기형)는 벤처기업인 에이에스비(대표 염병렬)와 공동으로 차세대 무선통신용 반도체인 70㎓급 실리콘게르마늄 이중접합 양극성 트랜지스터(SiGe HBT) 개발에 성공, 내년 6월부터 양산에 들어간다고 25일 밝혔다.
SiGe반도체는 10여년 전 기술개발에 착수한 미국 IBM이 지난해 말 65㎓급 제품을 상용화해 지멘스·알카텔 등 유명 반도체업체와 기술제공 계약을 맺고 있는 초기 시장제품으로, 대우전자의 이번 제품은 주파수 동작속도로는 세계 최고인 것으로 평가되고 있다.
특히 원천기술 보유업체도 IBM을 비롯해 독일 테믹, 미국 SiGe마이크로시스템스 등 소수에 불과해 이번 기술개발은 대부분 수입에 의존하고 있는 고주파 IC시장을 국내 업체가 주도할 수 있는 기반을 마련했다는 점에서 높이 평가되고 있다.
대우전자측은 『실리콘게르마늄반도체는 현재 1㎓ 이상의 무선통신용으로 사용되고 있는 갈륨비소(CaAs)보다 열전도율이 3배 이상 높고 기존 실리콘 공정을 활용해 제조할 수 있어 안정성과 출력효율이 우수한 첨단 제품』이라고 설명했다.
대우전자는 이번 기술을 활용해 올해 안으로 무선통신 기지국 및 중계기에 사용되는 고주파용 파워트랜지스터를 개발해 6개월간 신뢰성 평가를 거쳐 내년 6월부터 월 10만개 규모로 양산할 계획이다.
또한 내년 하반기까지 PCS·GSM·IMT2000 등 차세대 무선통신용 고주파 IC를 개발할 예정으로 2001년까지 총 150억원을 투자할 계획이다.
이와 함께 고주파용 반도체 기술정보시스템을 구축, 대우전자의 SiGe반도체 설계정보를 단말기 및 이동통신시스템업체에 제공해 이동통신용 주문형반도체 개발을 유도할 계획이다.
김홍식기자 hskim@etnews.co.kr
* 용어해설-SiGe반도체
SiGe반도체는 반도체 소재로 주로 사용되는 실리콘(Si) 원자에 게르마늄(Ge) 원자를 첨가, 합성해 만들어진다.
SiGe가 차세대 반도체로 각광받는 것은 실리콘보다 에너지 효율이 높고 갈륨비소(CaAs)보다는 열전도성이 높으면서 제조비용이 저렴하다는 점이다.
실리콘은 1V의 전압으로 전자 1개를 가속시킬 수 있는 에너지가 1.12eV(electronic Volt)인데 비해 게르마늄은 0.66eV여서 SiGe는 실리콘보다 에너지 효율이 높고 주파수 대역을 갈륨비소 이상으로 향상시킨다는 점에서 차세대 고주파 반도체기술로 평가되고 있다.
또 SiGe는 갈륨비소에 비해 3배 이상 열도율이 좋고 기존 낙후된 실리콘 제조공정으로도 제품을 생산할 수 있어 같은 성능의 갈륨비소반도체보다 최소 3분의 1 수준으로 제조단가를 낮출 수 있다.