기존의 알루미늄 배선 대신 구리 배선을 이용하는 구리 반도체의 양산시점이 예상보다 2년 가량 앞당겨진 2001년 2·4분기부터 본격화될 전망이다.
세계반도체장비·재료협회(SEMI) 한국지사에 따르면 SEMI가 지난 8월부터 이달 중순까지 256개 세계 주요 반도체 소자 및 장비업체들을 대상으로 실시한 설문조사에서 응답자의 64% 가량이 오는 2001년 2·4분기부터 구리 반도체가 양산되기 시작할 것이라고 답변했다.
이들은 또 2000년까지는 구리공정의 로직 반도체 제품이 첫 출하될 것이며 2001년에는 주문형반도체(ASIC)가 상용화되고 메모리와 시스템온칩(SOC) 제품은 2003년 이후에나 출하될 것으로 전망했다.
이같은 조사결과는 세계 반도체업체들의 구리공정 도입이 빠르게 진척되고 있다는 사실을 시사한다는 점에서 주목된다.
SEMI측은 또한 반도체업체의 40% 이상이 2001년 2·4분기부터 생산되는 구리공정 물량이 전체 반도체 출하물량의 10%를 차지할 것으로 전망했으며 응답자의 70% 이상이 아직 플러그 재료로 텅스텐을 선호하고 있다고 답했다.
이와 함께 구리공정에서 층간절연막으로 사용될 재료에 대해서는 29%가 불소화산화규소막(FSG : SiOXFY)을 꼽았으며 산화규소(SiO₂)는 18%의 지지를 얻어 가장 가능성이 없는 재료인 것으로 조사됐다.
층간 절연막 도포, 에칭·절연막 리소그래피, 구리시드 도포 등 12가지의 공정에 대한 질문 가운데 시드 도포와 구리오염에 대해서 소자업체들은 거의 준비가 되지 않고 있다고 답한 반면 장비업체들은 준비를 모두 끝낸 상황이라고 답변, 양측의 시각차이가 적지 않음을 시사했다.
SEMI는 『이번 조사는 반도체 분야가 구리공정에 대한 준비를 얼마나 하고 있느냐와 반도체 회사들은 어떤 구리배선기술을 채택하고 있느냐에 초점을 맞춘 것』이라고 설명했다.
이일주기자 forextra@etnews.co.kr