차세대 메모리반도체시장을 두고 다이렉트램버스(DR) D램과 더블데이터레이트(DDR) 싱크로너스D램(SD램) 진영의 치열한 경쟁이 예상되는 가운데 DDR SD램이 DR D램보다 성능이 우수하다는 테스트 결과가 나와 관심을 끌고 있다.
시장조사기관인 미국 인퀘스트는 마이크론으로부터 의뢰를 받아 DR D램과 DDR SD램의 성능을 비교 분석한 결과, DDR의 성능이 평균 10∼30% 가량 높게 나타났다고 11일 발표했다.
이같은 결과는 DR D램이 DDR SD램보다 성능이 우수할 것이라는 일반적인 인식을 뒤집었고 차세대 메모리반도체시장을 두고 두 진영이 첨예하게 맞선 가운데 나와 앞으로 반도체·PC시장에 적지 않은 영향을 끼칠 것으로 전망된다.
인퀘스트는 이번 성능 비교를 위해 DR D램쪽은 삼성전자의 데이터 용량 256MB 버스규격 800㎒의 메모리반도체와 인텔의 칩세트 「820(일명 카미노)」와 뱅쿠버사의 주기판으로, DDR SD램은 마이크론의 칩세트 「사무라이」와 64MB PC266 버스규격의 메모리반도체로 각각 시스템을 구성했다.
인퀘스트는 이 시스템을 기반으로 동일한 컴퓨터 중앙처리장치(CPU)와 데이터 전송률을 비교 평가한 결과, DDR SD램은 평균 초당 514MB의 전송률을 보인 반면 DR D램의 전송률은 414MB에 그쳐 DDR SD램의 성능이 평균 24.4% 우수한 것으로 나타났고 최대 30%까지 성능 차이가 나타났다고 설명했다.
D램과 CPU 성능간의 비교 평가를 위해 미국 버지니아대학의 벤치마크 프로그램인 「스트림(Stream)D」와 인텔의 최신 컴퓨터중앙처리장치(CPU)인 「코퍼마인」 중 클록속도 733㎒의 「펜티엄Ⅲ」가 사용됐다.
그러나 동일한 조건에서 또다른 벤치마크 프로그램인 「wstream.exe」를 사용했을 때에는 2.7%의 성능 차이를 보이면서 DDR SD램이 우수한 것으로 조사됐다.
또 가속그래픽포트(AGP)와 D램 성능비교에서는 DDR SD램이 256MB DR D램보다는 13.1%, 512MB보다는 19.8% 높은 주파수 대역 성능을 구현했다.
마이크론은 15일부터 열리는 「가을컴덱스」에서 이같은 결과를 시연하며 내년 상반기에 PC 266 규격의 DDR SD램을 출시할 예정이다.
김홍식기자 hskim@etnews.co.kr