그동안 전량 수입에 의존해온 이동전화기용 핵심 반도체인 고주파(RF) 전력증폭기(PA : Power Amplifier) 모듈이 국내 처음 개발됐다.
LG정밀(대표 송재인)은 화합물반도체인 갈륨비소(CaAs) MESFET를 소재로 한 가로 세로 각각 8.4㎜ 크기의 표면실장형(SMD) 전력증폭기를 개발, 내년 1월부터 양산에 나서기로 했다고 19일 밝혔다.
이번에 개발한 전력증폭기는 코드분할다중접속(CDMA) 이동전화기용으로 전력증폭기 시장의 대부분을 주도하고 있는 미국 커넥선트시스템스사의 제품과 크기가 동일해 호환성을 갖추고 있다.
전력증폭기 시장은 커넥선트시스템스·RFMD 등 극소수 외국업체가 세계시장을 주도하고 있는 데다 최근 제품공급량이 크게 모자라는 품귀현상을 빚고 있어 LG정밀 제품이 시장에서 큰 호응을 얻을 수 있을 것으로 기대되고 있다. 특히 전력증폭기는 최첨단 RF반도체 기술이면서 응용분야가 넓은 고부가가치 제품이어서 LG정밀의 이번 제품개발은 국내 비메모리반도체 산업활성화에도 기여할 것으로 예상된다.
이번 제품개발을 전담한 LG정밀 용인연구소의 성수언 책임연구원은 『자체 성능시험을 한 결과 이번에 개발한 전력증폭기의 전력효율성이 외국산 제품보다 5%나 높은 37%로 나타났다』고 말했다.
LG정밀은 올해안으로 시스템업체들로부터 성능승인을 받고 내년 1월부터 양산에 나서 3분기까지는 월 70만개를, 4분기부터는 월 100만개, 2001년부터는 월 200만개를 생산할 예정이다. 이 회사는 이에 앞서 지난 4월 가로 세로 각각 10㎜ 크기의 SMD 전력증폭기를 개발해 이미 텔슨전자와 모토롤러 브라질공장에 각각 공급했다.
김홍식기자 hskim@etnews.co.kr