국내 양대 반도체업체인 삼성전자와 현대전자가 차세대 반도체 노광(리소그래피)기술 개발에 본격 나선다.
22일 관련업계에 따르면 삼성전자와 현대전자는 세계적인 반도체 장비·재료업체들의 컨소시엄에 합류하거나 최신 장비를 도입, 회로선폭 0.15㎛(1미크론은 100만분의 1m) 이하의 고집적반도체를 생산할 수 있는 차세대 노광기술 개발에 열을 올리고 있다.
0.15㎛ 이하 회로선폭은 기가급 반도체에 적용하는 것으로, 이를 반도체에 적용하기 위해서는 130㎚(1나노미터는 10억분의 1m) 이하 파장의 광원을 사용하는 새로운 노광기술을 필수적으로 확보해야 한다.
두 회사가 차세대 노광기술 개발을 적극 추진하는 것은 기가급 반도체 제조기술을 확보해 D램 분야의 지배력을 유지하는 한편, 비메모리반도체 부문에서도 영향력을 확대하기 위한 전략으로 풀이된다.
현대전자는 ASM리소그래피의 최신형 스캐너 「PAS 5500/900」을 지난 20일 국내 처음 도입했다. 이 장비는 현재 전세계에 5대만 공급된 것으로, 193㎚ 파장의 불화아르곤(ArF) 광원을 사용해 0.15∼0.1㎛ 크기 회로선의 반도체를 제조할 수 있다. 현대전자는 내년부터 이 장비를 기반으로 130∼100㎚ 리소그래피기술을 개발, 기가급 반도체 생산에 적용할 계획이라고 설명했다. 현대전자는 이와 함께 내년께 인텔·AMD 등이 주축이 된 차세대 노광기술 개발 컨소시엄인 「EUV LLC」에 참여할 계획이다. 현대전자의 한 관계자는 『0.1㎛ 이하 초미세공정기술을 개발하기 위한 수단으로 「EUV LLC」나 「스칼펠」기술 진영 합류를 검토중』이라고 밝혔다.
삼성전자는 최근 193㎚ ArF 광원 기반의 노광기술을 진척시키기 위해 시플리와 0.13㎛ 이하 회로제작에 사용하는 감광제(포토레지스터)를 공동개발하기로 했다. 이에 앞서 삼성전자는 0.1㎛ 이하급의 초미세회로공정에 사용할 차세대 노광기술인 「스칼펠」 개발을 위해 지난 11월 루슨트테크놀로지스·어플라이드머티리얼스·ASML 등 세계적인 반도체장비업체들과 협력관계를 구축했다. 「스칼펠」은 ArF 등 엑시머레이저를 사용하는 기존 기술과는 달리 투사식 전자빔(Projection Electron-Beam)을 광원으로 사용하는 새로운 개념의 리소그래피 기술이다.
이일주기자 forextra@etnews.co.kr