삼성전자(대표 윤종용)는 반도체업계로는 처음 차세대 고속 메모리 반도체인 288M 다이렉트 램버스D램과 아울러 16개의 단품을 하나의 모듈로 구성한 576M 램버스D램 모듈까지 개발하는 데 성공했다고 3일 발표했다.
288M 램버스D램은 핀당 정보처리 속도가 평균 800㎒로 1초에 200자 원고지 25만장 분량의 데이터를 전송할 수 있어 기존의 싱크로너스(S)D램을 대체할 것으로 예상되는 초고속 반도체다.
삼성전자는 이 제품에 머리카락 두께(100미크론)의 약 600분의 1에 해당하는 회로선폭 0.17미크론(1미크론은 100만분의 1)의 초미세 공정기술을 적용, 램버스D램의 최고 집적도를 실현했다. 이 회사는 이번에 개발한 288M 램버스D램을 포함해 월 200만개 규모의 램버스D램을 다음달부터 본격 생산할 계획이다.
삼성전자는 이를 통해 차세대 고속 메모리시장을 선점하고 S램에서 램버스D램으로 메모리반도체의 본격적인 세대교체를 앞당길 방침이다.
램버스D램은 최근 델·컴팩·HP·IBM 등 대형 PC업체들이 이를 채용한 PC를 내놓으면서 올해 30억달러, 내년에 135억달러로 시장이 급증하고 오는 2002년에는 전체 D램시장의 50%를 차지할 것으로 전망되고 있다. 램버스D램은 단품 단위로 용량을 높일 수 있어 PC뿐만 아니라 적은 수의 단품을 사용하면서도 고성능을 구현해야 하는 휴대형 정보통신기기, 게임기 등으로 수요가 확대될 전망이다.
삼성전자는 『이번 288M 램버스D램의 개발로 대용량 초고속 램버스D램 시대가 열렸으며 삼성이 이를 주도할 것』이라고 밝혔다.
신화수기자 hsshin@etnews.co.kr