전계방출디스플레이(FED:Field Emission Display)분야에서는 탄소 나노튜브(Carbon Nanotube) 관련 논문이 가장 관심을 끈다.
삼성기술원 디스플레이 랩소속 김종민 박사팀은 「최근 마이크로팁(Microtip) FEDs와 탄소 나노튜브 FEDs」를 주제로 컬러 동영상을 구현하는 5.2인치 고전압 FED를 발표했다.
이 FED는 300㏅/㎡ 이상의 휘도를 가졌으며 「가스 에이징」 메커니즘을 활용했다.
김 박사팀은 탄소 나노튜브로서는 처음으로 9인치 FEDs(CNTFEDs)를 소개한다. 이는 탄소 나노튜브를 이용해 컬러이미지를 성공적으로 보여주는 것으로 풀컬러 FED의 대화면화 가능성을 제시한다.
이 FEDs는 페이스트스퀴즈(Paste Squeeze) 및 표면처리(Surface Treatment) 기술을 이용, 유리 기판 위에 잘 정렬된 탄소 나노튜브를 구현했다. 탄소 나노튜브의 수는 μ㎡ 당 5∼10이고 넓은 면적에 걸쳐 균일하다.
아울러 김종민 박사팀은 마이크로팁 FEDs와 CNTFEDs간의 메커니즘 차이를 분말에서 시스템 통합 수준에 이르기까지 비교, 분석했다.
탄소 나노튜브 필름분야에서는 한국과학기술연구원(KIST) 이윤희 박사(정보재료연구실 선임연구원)팀이 아크법으로 제조된 탄소 나노튜브 분말을 전도성 바인더와 혼합, 후막 형태로 제조하고 이에 대한 수송현상을 연구했다.
이윤희 박사팀은 1.7∼390k의 측정 온도 범위에서 전도기구를 조사하고 전자 스핀 공진(Electron Spin Resonance) 실험을 통해 전도전자에 기인한 실험 결과를 검출했다.
이번 발광화소 제작 결과, 1.5∼4V/㎛의 전계하에서 전자방출이 이뤄지고 1500룩스(Lux)의 실내조명에서 높은 휘도와 대비 특성을 보였다.
서울대학교 이종덕 교수(전기공학부)팀은 비정질 실리콘 전계방출소자의 전계방출 안정성의 개선 결과를 보여줬다.
이와 관련, 실리콘 팁상에 Mo를 전자선 증착법으로 증착해 RTA에 의한 Mosilicide를 형성해 냈다.
Mosilicide 방출소자는 비정질 Si 전계방출소자와 비교해 약 9V 낮은 구동전압과 3.8배 높은 방출전류, 보다 안정된 방출전류 특성을 갖는 것으로 나타났다.
이는 Mosilicide 방출소자가 낮은 일 함수와 높은 전기적·열적 전도성, 공기분자의 흡착에 대한 표면 불활성을 갖고 있기 때문으로 분석됐다.