앞서가는 업체는 삼성전자와 NEC·히타치 합작사다. 두 회사는 경쟁사들보다 먼저 0.1미크론 기술개발에 착수했으며 차근차근 기술력을 쌓고 있다.
삼성전자는 0.1미크론 기술확보를 위한 사전작업으로 현 D램 생산에 적용하는 0.18미크론 기술을 올해 안에 0.15미크론 기술로 향상할 계획이다. 이를 바탕으로 삼성전자는 2002년까지 0.1미크론 기반기술을 개발하고 2003년 이후 상용화한다는 구상이다.
강력한 경쟁자는 NEC와 히타치. 두 회사는 D램 합작사를 설립, 0.1미크론 기술을 개발할 예정이며 애초 목표로 한 2003년께 상용화 시점을 앞당길 방침이다.
현대전자 등 후발주자들의 추격도 만만치 않다.
현대전자는 어느 정도 확보한 0.15기술을 바탕으로 곧바로 0.13미크론 기술개발에 도전하고 있다. 이 회사는 적어도 0.1미크론 기술은 경쟁사와 같은 시기에 개발하겠다는 의욕을 불태우고 있다.
미 마이크론테크놀로지의 경우 지난해 급증한 매출을 바탕으로 초미세공정기술에 투자를 확대할 계획이다. 그렇지만 이 회사는 0.15미크론 기술도 제대로 확보하지 않은 상태여서 선발업체에 비해 기술개발과 상용화는 다소 늦어질 전망이다.
NEC·히타치를 제외한 다른 일본업체의 기술개발 능력은 뒤처진다. 그동안 연구개발을 게을리해 선발업체와의 기술 격차가 더욱 벌어진데다 지난해 상대적인 매출부진으로 투자여력도 없기 때문이다.
일본 업체들의 기술 수준은 국내업체에 비해 6개월∼1년 정도 뒤진 것으로 평가된다.
최근 일본의 반도체업체들이 정부의 지원 아래 2003년 개발을 목표로 0.1미크론 개발 프로젝트를 추진하는 것은 개별적인 기술개발로는 한계가 있다는 판단에 따른 것이다.
반도체 강국으로 급부상한 대만업체들의 경우 0.1미크론 기술 경쟁에 끼어들 여지는 거의 없다. 대만업체의 기술력은 현재 0.21∼0.23미크론 수준으로 한국과 미국, 일본업체와의 격차를 단숨에 뛰어넘기 힘들기 때문이다.
결국 0.1미크론 기술경쟁은 삼성전자, 현대전자, NEC·히타치 합작사, 마이크론 4강체제의 싸움으로 전개될 것으로 보인다.