가격이 저렴한 이동통신 단말기용 저잡음 CMOS(Complementary MOS Transistor) 주파수 발진기가 국내 연구진에 의해 개발됐다.
한국과학기술원(KAIST) 전기 및 전산공학과 김범섭 교수는 3년간의 연구끝에 세계에서 가장 낮은 위상잡음을 갖는 CMOS 주파수 발진기를 개발했다고 8일 밝혔다.
이동통신 단말기의 초고주파단 반도체 부품 중에서 집적화가 가장 어려운 저잡음 주파수 발진기는 값싼 CMOS 반도체 공정을 이용해 만들 경우 위상잡음 특성이 나빠져 통화품질 저하를 초래했다.
이번에 개발된 저잡음 주파수 발진기의 경우 CMOS 반도체 공정을 이용해 제작됐기 때문에 가격이 기존 제품의 5분의 1인 600원대로 저렴하고 초고주파단 반도체 소자에 쉽게 집적화할 수 있는 장점이 있다. 특히 위상잡음이 -132㏈c/㎐로써 CMOS 반도체 소자로 만들어진 주파수 발진기 중 가장 낮은 수준이다,
이 저잡음 주파수 발진기를 이용하면 전체 초고주파단이 한개의 집적회로 소자로 구성할 수 있어 이동통신 단말기의 초고주파단 부분의 전력소모와 가격을 크게 낮출 수 있다고 KAIST측은 밝혔다.
김범섭 교수는 『디지털 이동통신 단말기나 차세대 단말기인 IMT2000 등에 적용이 가능하다』며 『세계시장 규모는 2억5000만달러에 달한다』고 말했다.
<대전=박희범기자 hbpark@etnews.co.kr>