『차세대 반도체인 탄화규소(SiC : Silicon Carbide) 분야에서 한국의 연구소·대학들과 기술교류를 통해 공동연구를 적극 추진하겠습니다.』
최근 「SiC 반도체 기술개발」 국책과제의 주관연구기관인 한국전기연구소와 서울대 반도체공동연구소의 관계자들을 대상으로 특강을 하기 위해 방한한 러시아 상트페테르부르크대학의 타이로프 박사(Yuri M Tairov·70)는 방한목적에 대해 이같이 밝히고 『한국 유수 연구기관들과 공동연구는 물론 SiC 기술 상용화를 위해 한국 기업들로부터 투자유치를 추진하겠다』고 말했다.
그는 이번 방한에서 서울대 등과는 공동 기술개발 및 교환교수 프로그램을 추진하기로 했으며 국내 반도체업체들로부터는 자금투자에 대해 긍정적인 반응을 얻어냈다.
타이로프 박사는 「SiC 단결정 기술의 원조」로 불리울 정도로 40년동안 줄곧 이 분야만 연구한 전문가. SiC 관련 논문에서는 항상 그의 이론이 인용되며 이 기술의 상용화를 주도하는 미국 크리(Cree)에도 그의 제자들이 대거 포진했다.
SiC는 현 실리콘(Si)보다 고온·고전력면에서 장점이 있으며 다양하게 적용할 수 있는 차세대 반도체 소재. 하지만 반도체 소자를 만드는 데 필요한 단결정 구현이 힘들어 지름 2인치 웨이퍼로 상용화하는 수준이며 단위면적당 가격도 실리콘에 비해 비싸다.
그는 『고품질의 대형 크리스탈이 나오면 상용화와 양산에는 문제가 없다』며 『우리 대학 연구팀에서는 센서분야에 적합한 SiC 소자를 2년안에 상용화할 계획』이라고 말했다.
아울러 그는 『미국·일본·러시아·스웨덴 등의 연구기관과 기업들은 시장선점을 위해 막대한 자금을 차세대 SiC 반도체의 상용화에 쏟아붓고 있다』며 『한국도 해외 연구기관들과의 제휴로 SiC 반도체 기술 상용화를 앞당겨야 할 것』이라고 조언했다.
<온기홍기자 khohn@etnews.co.kr>