한일합작 반도체장비업체인 국제엘렉트릭코리아(대표 이길재)는 최근 삼성전자 반도체연구소와 공동으로 20옹스트롬(1Å은 10●¹●m) 이하의 실리콘산화막을 형성할 수 있는 저압산화장치<사진>를 개발했다고 13일 밝혔다.
산화막의 두께가 얇아지면 데이터 처리속도가 빨라져 1㎓ 이상의 초고속 논리소자는 20Å 이하의 아주 얇은 두께와 균일한 산화막을 필요로 해왔다.
지금까지 산화막의 두께는 40Å가 한계로 여겨졌으며 이번에 국제엘렉트릭코리아와 삼성전자가 새로운 기술로 이러한 한계를 극복했으며 여기에는 △로드록(load lock) 시스템 △저전압 프로세스 △카탈리시스 토치(catalysis torch) △노 애닐링(no annealing) 등의 독자적인 기술을 적용했다.
국제엘렉트릭코리아는 이번에 개발한 장치를 하반기부터 삼성전자에 공급할 예정이며 삼성전자는 이를 플래시메모리와 비메모리반도체 생산라인에 투입할 예정이다.
이 회사는 또 이 장치의 가격이 18억원 정도로 26억원대의 외산장비에 비해 가격경쟁력도 갖춰 연간 150억원 이상의 수입대체 효과를 거둘 수 있다고 밝혔다.
국제엘렉트릭코리아는 일본의 고쿠사이덴키(국제전기)와 국내 보성상사가 55 대 45의 비율로 합작해 지난 93년 5월 설립한 수직형 확산로 전문회사로 천안에 공장을 운영하고 있다.
<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>